摘要：针对碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)驱动电阻的选择问题，建立开关瞬态电路模型。通过数学推导定性分析，确立了受驱动电阻影响的SiCMOSFET开关行为主要特征。在此基础上，搭建双脉冲测试实验平台，将驱动电阻与振荡、超调、损耗和温升之间的关系进行定量分析。通过将器件非理想特性对驱动电阻的敏感度进行归一化处理，归纳出驱动电阻对SiC MOSFET 特性的调控规律，从而指导SiC MOSFET栅极驱动回路的优化设计。
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