基于通态特性的温敏电参数法中最常用的结温测试法主要是三种，大电流饱和压降法、小电流饱和压降法和阈值电压法。
本文则是详细对大电流饱和压降法进行介绍。
测试原理
大电流饱和压降法利用了IGBT导通压降与结温的线性关系，为了分析IGBT芯片的导通状态特性，可以将IGBT简化为1个PiN二极管和工作在线性区的MOSFET的串联结构，如下图所示。
IGBT的导通压降可以表示为PiN二极管和MOSFET压降和：
PiN二极管部分的压降可以表示为：
k为玻尔兹曼系数，Tj为结温，q为电荷常数，JC为集电极电流密度，WN为漂移区宽度，Da为双极扩散系数，ni为本征载流子浓度，La为双极扩散长度，再其中：
其中VM为漂移区电压降。
MOSFET部分的压降为：
其中P为元胞尺寸，Lch为沟道长度，μni为沟道迁移率，Cox为栅氧电容，VGS为栅极驱动电压，Vth为器件阈值电压。
综上，IGBT导通压降VCE,sat等于两部分之和：
这个公式直接表明了，IGBT的VCEsat和结温之间在电流密度不变的情况下存在线性关系。
当栅极驱动电压较大时：
集电极电流密度较低，即IGBT小电流导通时，上式中PiN部分的压降占主要部分，此时IGBT的集电极电流以指数形式随导通压降的增加而增加；
当集电极电流密度较大时，即IGBT大电流导通时，则MOSFET部分的压降占主要部分，此时近似于PiN二极管串联一个电阻。
进一步综合表达式为：
所以，根据此式，
当电流密度小于其通态压降测量结温的拐点电流密度时，IGBT的通态压降随结温Tj的上升而下降，且JC越小，通态压降受结温的影响越明显，这是小电流饱和压降法的测试原理。
当电流密度JC大于大于其通态压降测量结温的拐点电流密度时，IGBT的通态压降随结温Tj的上升而上升，且JC越大，通态压降受结温影响越明显，这是大电流饱和压降法的测试原理。
比如，在下图TCP温度补偿点以下区域为负温度系数区域，一般小电流饱和压降法在这个区域进行；而在TCP温度以上则是正温度系数，为大电流下饱和压降法区域。
测试过程
在应用大电流饱和压降法测试结温前，必须先进行温度校准（K线）这也是建立实验器件的电参数与结温的关系，获得对应电流下，器件VCE与结温的关系曲线。
随后，在后续测试中将测试得到的电流和VCE根据温度校准曲线进行换算，从而得到IGBT器件的结温。
所以，温度校准实验是结温测量的第一步，也是结温测试的基础，只有保证温度校准的规范和准确，获得准确的温度校准曲线，才可以保证后续结温测试的准确性。
注意事项
大电流饱和压降法是目前应用最广泛的在线监测方法，测量前需要进行结温Tj-负载电流IL-饱和压降VCE之间关系曲线的绘制。
测试时直接利用通态下的饱和压降，这克服了小电流饱和压降法切换的问题。但是，这个方法的瓶颈在于除了满足通态饱和压降测量的高精度之外，还存在一个固有问题：功率模块中芯片和外部直接的焊接层、键合线等，这引入了寄生电阻，较大的通态电流会在寄生电阻上产生一个不可忽视的压降。当器件工作时，流经焊接层和键合线等的温度和芯片本身的温度存在差距，这就造成了芯片结温的测试误差。而且，器件会逐渐老化，负载电流下的饱和压降也会增长，对结温测试结果产生影响。
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