摘 要:SiCMOSFET和SiIGBT并联构成的Si/SiC混合器件(Si/SiCHyS)有效结合了SiIGBT的大载流能力、低成本与SiCMOSFET的高频、低开关损耗优势，突破了单一器件的性能桎梏。然而，非平稳工况下Si/SiCHyS内部结温波动分布不均衡，存在SiCMOSFET老化过速的问题。目前，针对Si/SiCHyS的热管理策略研究鲜有报道，而变开关频率作为单一器件中应用最为广泛的结温调节方法，难以调节Si/SiCHyS内部的结温差异，导致SiIGBT热容量利用率较低。考虑到SiC导通比例可利用SiIGBT的结温调节空间来降低SiCMOSFET的热应力，从多层级热管理视角出发，提出一种基于SiC导通比例Dsic与开关频率f协同调控的Si/SiCHyS综合热管理方法。所提热管理方法根据设定的结温波动阈值，对开关频率和SiC导通比例的目标参数域进行全面刻画，并实现f-Dsic参数的最短调节路径规划，最终将SiCMOSFET和SiIGBT结温波动平滑至同一阈值以内。实验结果表明，相较于变开关频率方法，采用所提综合热管理方法的Si/SiCHyS最大结温波动降低了24.31%，且任一负载波动下SiCMOSFET和SiIGBT的结温波动均被平滑至同一阈值以内，显著提高了Si/SiCHyS的整体使用寿命。
如您对我们的产品感兴趣，欢迎联系
我们将为您提供高效、贴心的解决方案！
咨询电话：135 1009 9916（微信同号）
↓ ↓ 点击图片免费领取产品规格书 ↓ ↓ 
想深入了解碳化硅功率器件产品知识？点击→「碳化硅（SiC）课堂」获取详情！
