本报讯 （记者 郝颖）9月7日，碳化硅前沿技术分享暨成果发布会在上海举行。由瑶芯微（上海）电子科技股份有限公司（以下简称“瑶芯微电子”）与中国科学院院士、西安电子科技大学教授郝跃团队联合攻关，芯联集成公司协同开展工艺平台开发的全球首款碳化硅超级结MOSFET产品发布。该成果历经5年产学研联合攻关，实现了碳化硅超级结技术从实验室研究到产品化落地的跨越。
碳化硅功率器件是新能源汽车、数据中心、光伏储能、电网装备等领域的重要基础芯片，具有耐高压、损耗低、耐高温等特点。当前，全球碳化硅功率器件市场仍由海外企业主导。超级结技术被业界视为下一代重要技术方向，但由于器件结构复杂、制造精度要求高，其产业化长期面临技术瓶颈。
此次攻关中，郝跃团队发挥高校科研优势，与企业研发团队围绕理论模型、器件结构和工艺实现等关键问题持续开展联合研究，重点破解理论设计与实际制造难匹配、电场控制难协同、复杂结构难制造等难题，并联合晶圆代工企业推进工艺平台开发，推动科研成果转化为可生产、可应用的产品。
实测数据显示，此次发布的产品实现1635V耐压，高温电流密度较国际顶级水平提升166%，功率密度提升81%，同时改善了器件在高温环境下的性能稳定性。相关技术未来可应用于新能源汽车、AI服务器电源、数据中心供电以及高压电网装备等领域。
郝跃表示，瑶芯微电子推出的1200V碳化硅超级结MOSFET，是全球首个完成产业化验证的碳化硅超级结器件。此次成果发布，展现了陕西高校科研团队在第三代半导体前沿领域的创新实力，标志着我国碳化硅产业正式从跟随对标迈入原创突破新阶段。
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