摘 要:该文对应用于脉冲功率领域的特种半导体开关器件进行综述，具体包括反向开关晶体管(reversely switcheddynistor，RSD)、漂移阶跃恢复二极管(drift step recoverydiode，DSRD)和快速离化晶体管(fast ionization dynistor，FID)。上述半导体开关器件从时间尺度上分别对应微秒级、纳秒级和皮秒级，研制材料包括硅基(Si)和碳化硅基(SiC)。该文介绍相关器件的工作机理、关键技术和应用情况，以及部分研究进展，并对未来的发展趋势进行展望。
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