摘 要：根据SiC MOSFET开关特性，设计了一种SiC MOSFET的驱动电路，在此基础上采用双脉冲测试方法，对SiCMOSFET的开关时间、开关损耗等进行了实验测量，分析了不同驱动电阻对SiC MOSFET开关时间、开关损耗等的影响。
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