TTL
双极型晶体管BJT（三极管）集成逻辑 构成芯片或者器件。
开启电压：
TTL逻辑门判断输入信号为高电平(1)或低电平(0)的关键阈值电压是2.0V。
输入电压 > 2.0V 通常被认为是高电平 (1)。
输入电压 < 0.8V 通常被认为是低电平 (0)。
电压在0.8V到2.0V之间的区域称为不确定区或过渡区，逻辑状态在此区域无法保证，应避免输入停留在此范围
高低电平认定 & 为什么这么认定？
高电平认定 (1)： > 2.0V
低电平认定 (0)： < 0.8V
基于内部三极管结构： TTL的核心是多发射极输入三极管和推挽输出级（图腾柱输出）。输入信号直接控制三极管的导通与截止。
保证可靠导通/截止： 设定 V_IHmin = 2.0V 是为了确保输入级的三极管能可靠地进入截止状态（当输入为高时），使输出级的下拉管截止、上拉管导通，从而输出高电平。设定 V_ILmax = 0.8V 是为了确保输入级的三极管能可靠地进入饱和导通状态（当输入为低时），使输出级的下拉管饱和导通、上拉管截止，从而输出低电平。
噪声容限： 这种不对称的阈值（2.0V高，0.8V低）提供了噪声容限。高电平噪声容限 V_NH = V_OHmin - V_IHmin (例如 2.4V - 2.0V = 0.4V)，低电平噪声容限 V_NL = V_ILmax - V_OLmax (例如 0.8V - 0.4V = 0.4V)。虽然数值不高，但在当时的设计下是平衡的选择。
历史与工艺： 早期的硅平面工艺和5V电源电压决定了这些相对较低的阈值电压。较低的阈值（尤其是低电平阈值）有助于提高开关速度（三极管更容易饱和导通），但也导致静态功耗相对较高。
常用类型 (标准系列之后的发展)：
标准 TTL (74系列)： 如 7400, 7404。原始系列，功耗和速度中等。
低功耗 TTL (74L系列)： 如 74L00。牺牲速度换取更低功耗。
高速 TTL (74H系列)： 如 74H00。牺牲功耗换取更高速度。
肖特基 TTL (74S系列)： 如 74S00。在晶体管的基极-集电极结上并联肖特基二极管，防止深度饱和，显著提高速度（比74系列快），但功耗增加。
低功耗肖特基 TTL (74LS系列)： 如 74LS00。最流行、最经典的TTL系列。在74S基础上增大电阻值以降低功耗，速度比74S稍慢但远快于标准74系列，功耗显著低于74S。在功耗和速度之间取得了非常好的平衡。
先进肖特基 TTL (74AS系列)： 如 74AS00。74S的改进版，速度更快。
先进低功耗肖特基 TTL (74ALS系列)： 如 74ALS00。74LS的改进版，功耗更低或速度更快。
CMOS
极高输入阻抗： CMOS栅极由绝缘的氧化物层隔离，输入阻抗极高（通常在10^12 Ω以上），几乎不吸收直流电流（仅在开关瞬间有微小位移电流）。这使得CMOS的静态输入功耗几乎为零。
对称阈值： CMOS逻辑的阈值电压通常设计在电源电压 VDD 的中间位置附近。对于标准5V工作的CMOS，典型值：
输入电压特性： 供电电压：3-18V
低：0.3*VCC 高：0.7*VCC
输出电压特性：
低：0.1*VCC 高：0.9*VCC
常见系列：
4000系列： 如 CD4001, CD4011。最早的通用CMOS系列，工作电压范围宽（3-18V），速度慢，驱动能力较弱。
74HC系列： 如 74HC00。高速CMOS。速度与74LS TTL相当甚至更快，驱动能力显著强于4000系列，功耗极低。输入/输出电平与TTL不完全兼容（输入需要接近VDD的高电平）。
4HCT系列： 如 74HCT00。高速CMOS, TTL兼容输入。这是74HC系列的变体，专门修改了输入级阈值电压，使其与TTL电平完全兼容（V_IHmin=2.0V, V_ILmax=0.8V），可以直接接受TTL输出驱动。其他特性（速度、功耗、输出摆幅）与74HC相同。
74AC / 74ACT系列： 如 74AC00, 74ACT00。先进CMOS (TTL兼容)。速度比74HC/HCT更快，驱动能力更强。74ACT的输入阈值与TTL兼容。
74AHC / 74AHCT系列： 如 74AHC00, 74AHCT00。先进高速CMOS (TTL兼容)。在速度、功耗、驱动能力方面进一步优化74HC/HCT。
LV (Low Voltage) 系列： 如 74LV, 74LVC, 74LVT, 74ALVC 等。工作电压降低（如5V, 3.3V, 2.5V, 1.8V），针对低电压、低功耗应用优化。LVC/LVT等通常具有TTL兼容输入（在对应电压下）和总线保持功能
CMOS与TTL比较：
1.TTL是双极型电流控制器件，CMOS为单极性电压控制器件。
2.供电电压不一样，TTL常用5V供电，CMOS：5V、3.3V、2.4V、1.8V。
3.TTL抗干扰能力弱，噪声容限小，主要是因为CMOS逻辑电平范围宽，高电平阈值区间与低电平区间的距离大，抗干扰能力强；但CMOS器件输入阻抗大，容易捕捉干扰，噪声大。但CMOS输出阻抗低，在KΩ范围内；CMOS器件不用的输入引脚必须接地或者固定电平，（即注意静电防护）而TTL器件引脚悬空默认高电平。
4.CMOS具有压倒性优势，TTL功耗大，CMOS功耗低，静态功耗几乎没有，电平切换才有大电流。
5.TTL器件工作速度快，传输延时5~10ns；cmos传输延时25~50ns。
6.早期的4000系列CMOS速度慢于标准TTL。
现代的74HC/HCT, 74AC/ACT, AHC/AHCT等高速CMOS系列的速度已经达到甚至超过了大多数TTL系列（如74LS）。例如，74AC/ACT的传播延迟远小于74LS。
TTL中的74AS/74F系列曾是速度王者，但现在的高速CMOS（如74AUC, 74ALVC）在低电压下也能达到极高的速度。
在现代设计中，除非有特殊原因（如极端高速、遗留系统兼容），CMOS（尤其是74HC/HCT, LV系列等）是绝对的首选，主要得益于其极低的功耗、高噪声容限、宽电压范围和成熟的低成本高集成度工艺。TTL主要存在于一些老旧设备或特定接口中。
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