这两篇其实针对同一个问题——同步降压转换器中，低边MOSFET (LSS)作为同步整流管工作时，反向恢复较差，带来较大的损耗及可靠性风险，
这两篇给出了两种解决方案，
1、外接SBD
2、器件内部集成SBD，
但前者会增加系统设计复杂性，且外接SBD的封装引线寄生电感会引发导通延迟，
后者则会增加器件制造工艺复杂性，且集成SBD会增大关态漏电，对器件可靠性不利。
于是有了第三种方案——伪肖特基效应（Pseudo-Schottky Effect），
何为伪肖特基效应？
简言之，
器件工作在第三象限时，利用体效应暂时降低器件阈值电压，使得体二极管导通之前，沟道便部分开启，
如此一来，多子主导电流，少子注入不成气候，从而改善反向恢复特性。
具体解释其中原理，
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如上，MOSFET阈值电压公式，
Vt0是体效应为0（源-体结无偏置）时的阈值电压，ψB为体区电势，通常近似为2倍费米电势，
若VSB=0，则Vt= Vt0，
若VSB<0，则Vt< Vt0，器件阈值电压降低，沟道部分开启，电流从此流过，
该效应的作用范围受源-体PN结限制，仅在-0.6V< VSB<0范围内有效，
为什么会这样？
因为如果VSB>0，源-体PN结反偏，器件阈值电压反而增大，
如果VSB<-0.6V，源-体PN结正偏且充分导通，PN结导通将取代沟道导通，成为主导机制。
体效应对器件阈值电压影响的强度可以用γ表示，
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如上，εsi是Si介电常数，NB是沟道区（体区）掺杂浓度，xox是栅氧厚度，
可以将γ理解成这样一个指标，它可以衡量器件阈值电压对源极电压变化的敏感程度，
γ越大，相同源极电压变化量，对器件阈值电压造成的影响越大。
与工艺相关的参数主要有二：
1、体区浓度NB，
NB越大，耗尽区越窄，单位体积电荷密度越大，更密集的电荷分布会对电压变化产生更敏感的反应，γ越大，
2、栅氧厚度xox，
xox越大，γ越大，这可以反过来理解——xox越大，栅控能力越弱，VSB对阈值电压的影响越强。
实际制作中，无论增大NB还是增大xox，都会使器件固有阈值电压Vt0增大，这点需注意，
另，如果选择增大xox，栅控能力的削弱会导致跨导降低，不建议，
因此优先通过增大NB以提升γ，
那Vt0增大该如何处理？
对沟槽栅VDMOS，可通过倾斜注入，将杂质注入沟槽侧壁，从而对沟道区域进行浅结阈值调整，避免Vt0显著增大。
以这种方式，关断状态下，器件保持常规阈值电压，漏电不会提升，
第三象限工作条件下，γ显著提升，阈值电压降低，沟道部分开启，实现与集成/外接SBD类似的IV特性，
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伪肖特基效应的第三象限IV、反向恢复特性如上，
先看左图，伪肖特基效应与外接SBD的IV曲线形状相似，器件开启电压远低于正向导通状态的阈值电压，
且在相同电流密度下，伪肖特基器件开启电压亦低于PN结二极管的正向压降，
再看右图，
伪肖特基器件的Irr降至传统器件的1/3，trr不到传统器件的1/5，效果显著。
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