碳化硅器件在高压、高频、高温、大功率、低损耗及抗辐射等方面均比硅基器件拥有巨大优势，可以极大提升电力电子系统的功率、效率、体积及重量等性能指标，在高压输变电、新能源汽车、航空航天、造舰航海等领域具有巨大的应用前景。其电气特性中的动静态特性及高温可靠性作为表征碳化硅功率金属场效应晶体管(metal oxide field-effect transistor，MOSFET)模块性能的必要参数是首先需要分析的环节。然而目前国内对于高压大功率碳化硅MOSFET模块的动静态及高温可靠性参数的测试分析较为贫乏。动静态参数测试是筛选功率模块性能是否达标的必备步骤，可靠性测试是验证模块处于长期高温环境中的极端工作性能，这些测试结果将是反馈优化器件设计和模块封装性能的重要基础，同时对于推动碳化硅功率MOSFET模块的发展和应用具有十分必要的意义。文中旨在较项目组前期4寸碳化硅晶圆制备的芯片封装而成的同等电压等级的碳化硅模块研究的基础上，选取优化芯片设计并在6寸碳化硅衬底上制备而成的碳化硅器件，封装成6500V/50A碳化硅MOSFET模块，并对其进行动静态及高温可靠性测试与分析，验证芯片设计、集成与封装工艺的效果，其最终结果将为项目组后期碳化硅MOSFET芯片设计、集成及封装工艺的进一步优化和改进提供重要参考。
引言
功率金属场效应晶体管(metal oxide field-effect transistor，MOSFET)器件，由于其工作频率高、输入阻抗高、开关速率快、驱动简单，被认为是光伏发电系统、电动汽车等领域中的理想的开关器件。目前在这些领域使用的器件的传统硅基器件由于其材料特性限制，无法进一步提高芯片击穿电压并降低芯片导通电阻。碳化硅(silicon carbide，SiC)材料作为宽禁带半导体材料的的典型代表，其在高温高压高频上的优良特性可使SiC器件拥有更轻的重量、更小的体积、更快的开关频率、更高的耐受电压和更高的温度承受能力，进而提升电力电子装备的功率密度与性能[1-3]。与Si IGBT相比，SiC MOSFET在相同的耐受电压下拥有更高的工作频率和更小的开关损耗，因此6.5kV高压全SiC功率MOSFET器件可在轨道交通系统、大型船舶的全电推进系统中实现传统硅基器件的替代[4-5]。而在电力系统中，随着我国'双碳'战略的稳步推进，分布式发电系统在电网中占比逐渐提高，高压全SiC功率MOSFET器件将拥有巨大的应用前景。
自2011年CREE公司推出第一代产品化的SiC MOSFET以来，CREE公司在高压SiC MOSFET研究领域发表了多篇研究报道结果，器件电压等级覆盖6.5~15kV[6-8]。国内方面，近期，本项目团队分别报道了基于4寸4H-SiC材料的6.5kV/25A SiC MOSFET芯片和6.5kV/25A SiC SBD器件[9-10]，实现了器件击穿电压大于7kV，常温下导通电流大于25A的 器 件 特 性 ， 同 时 也 对 于 初 步 封 装 的6.5kV/25A和100A SiC MOSFET模块进行了测试，并与国际最新研究水平做了对比分析，对比了同型器件在常温和高温下的动静态参数[11]。基于前期芯片及模块的动静态测试结果，本项目组进行了芯片设计与集成及模块封装方面的优化，在本项目组6寸碳化硅器件生产线上重新制备了6.5kV/25A SiC MOSFET芯片和6.5kV/25A SiC SBD器件样品，并根据项目需求设计并封装了击穿电压可达6.5kV和导通电流可达50A的全SiC功率MOSFET模块，并选取两个该规格的MOSFET模块进行动静态电性能测试及可靠性评估。
本文分别在室温(25℃)和高温(150℃)下，测量两个模块的静态特性参数及在感性负载下的动态特性参数，通过高温栅偏和反偏测试验证模块的可靠性，测试结果表明：两模块的动静态性能与国际研究报道水平接近，同时在168h的高温栅偏及反偏可靠性验证中漏电流均保持在较低水平。随后本文对比自主研制的基于6寸碳化硅晶圆的6.5kV MOSFET功率模块和前期基于4寸碳化硅晶圆研制的的6.5kV碳化硅模块及传统同等电压等级的硅IGBT模块的特性参数，结果表明，相较于硅基IGBT模块，自研模块在开关速度及损耗方面具有显著优势，并且各项性能参数较前代基于4寸碳化硅晶圆制备的模块有较大提升。随着自主研制的基于6寸碳化硅晶圆的MOSFET功率模块产品化的推进，国产大功率碳化硅模块将在我国智能电网中得到广泛应用。
1、6.5kV/50A高压全SiC MOSFET模块封装
针对未来直流用电社区对高压交流–直流变换器小型化需求，团队采用了自主定制的高压封装模块结构，模块尺寸58mm×48mm×38mm，各芯片及电极布局如图1 ( a )所示。模块内所用S i C MOSFET及SiC SBD芯片均采用本团队自主研发的新一代6500V/25A高压SiC芯片。本文测试模块由2只6.5kV SiC MOSFET和2只6.5kV SiC肖特基二极管(SBD)并联封装组成。模块内部采用15mil铝线进行电路连接，封装尺寸如图1(b)所示，封装后的模块如图1(c)所示。
模块内部电路设计如图2所示，本模块同样采用四端子设计，在前代模块的基础上进一步降低了辅助源极支路上的寄生电感。
2、静态特性分析
2.1、模块静态特性
本文随机选取两个本项目组封装完成的6500V/ 50A碳化硅MOSFET模块样品进行对比测试，使用Aglient B1505A测试仪首先对模块在常温下的正向导通和反向阻断特性进行了测试。图3为两只模块的输出特性曲线和阻断特性曲线。
图3(a)为1号和2号测试了栅极电压VGS为10~20V，ΔVGS=2V下的输出特性曲线。由图3(a)可知，在导通压降为4V时，两模块的电流分别为36.83、37.4A。
分析可知两模块的输出特性曲线偏离度约为0.2%~3.4%，因此可以认为两只模块在封装过程中引入的电阻寄生参数较为接近，且在漏极电压VDS较低时，模块的电阻特性明显，电流上升较为平缓。图3(b)为两模块的阻断特性曲线，可知两模块的耐压均超过6.5kV并且在6.5kV下两模块的漏源极漏电流分别为1.05、1.55μA，说明说明本期封装的6.5kV/50A的模块，与前代两款6.5kV/25A模块(<2μA)和6.5kV/100A模块(8.7μA)相比均有明显提升[11]，甚至比基于4寸碳化硅晶圆制备6.5kV/25A的碳化硅MOSFET模块的漏电流都降低了22.5%~ 47.5%。表明该批次模块的封装工艺在漏电流方面已经获得了较大的提升，之后可根据封装模块所用的基于6寸碳化硅晶圆制备的SiC芯片的静态特性测试结果来进一步探究封装过程对模块的静态特性影响，同时反馈封装过程中存在的可能性不足。
2.2、芯片静态特性
在模块进行封装时，选取的SiC MOSFET和SBD芯片的静态参数接近一致，参考项目组之前的设计，均采用浮空场限环结构作为器件终端保护结构，终端保护结构减小至80根，并保持浮空场限环终端总宽度为600μm，MOSFET芯片有源区面积约为37.4mm2。随机挑选一颗用于封装的6500V/ 25A SiC MOSFET芯片静态特性用于对比分析。图4为6.5kV/25A碳化硅MOSFET裸芯片的输出特性和阻断特性曲线，由图4(a)可知在栅极电压VGS为20V，导通压降为4V时，裸芯片的导通电流可以达到25A以上。图4(b)表明芯片的阻断特性满足6.5kV的设计要求，并且在6.5kV电压下，本次研制合格的SiC MOSFET芯片的漏电流大部分小于2μA(图中红圈区域为6.5kV时对应的漏电流)，由此可见封装前的基于6寸碳化硅晶圆制备的6500V/25A SiC MOSFET芯片静态特性符合芯片设计和模块封装要求，且较前代芯片在阻断特性上有明显的优化。
下面再进一步分析用于封装的6500V/25A SiC SBD芯片的静态特性，正向和反向测试结果如图5所示。根据芯片电学性能离散性的测试分析，可知在正向导通电流为25A时，二极管芯片正向压降VF的最小值为3.2V。且在6.5kV下SiC SBD芯片的漏电流均小于2μA。该测试表明6500V/25A SiC SBD芯片静态特性也完全符合芯片设计和模块封装要求。
对比图3中模块和图4、5中SiC MOSFET和SBD裸芯片的输出和阻断特性说明：在栅极电压VGS为20V，导通压降为4V时1号模块的电流只有36.83A，同样2号模块的电流也只有37.4A，模块的电流仅达到了芯片并联后理论导通电流为50A的74%左右，而封装所用芯片均是筛选了静态性能接近一致的SiC MOSFET和SBD芯片，因此芯片的分散性并不是影响模块导通电流不达标的主要因素。此外在不考虑芯片在封装过程中芯片受到损伤的前提下，本文认为导通电流不达标的原因有两个方面：一方面可能是由于在封装过程中键合引线的焊接点或芯片与DBC之间的焊料层存在接触缺陷，引入了较大的接触电阻，另一方面，就是封装过程中的均流设计考虑不够完善，导致不同的芯片承担的导通电流不均。由此可说明项目组目前所采用的封装形式存在较大不足，后期需要优化封装内部电路设计及优化工艺。封装后的两只模块的阻断特性均能达到6.5kV以上，漏电流依然小于3μA(相当与2个MOSFET芯片和2个SBD芯片漏电流相加，与预期漏电流值一致)，和封装前芯片的反向阻断性能基本一致，说明封装对模块的阻断特性并没有较大影响。
另外两只模块的静态特性测试结果较为一致，说明封装工艺的稳定性较好，同时两模块输出特性均不达标，但却结果一致，均与裸芯片的输出特性存在同等差距，这一现象也从侧面反映了本次模块的封装结果并非芯片静态特性分散性所致，后期需要结合输出特性的测试结果具有针对性的提升模块封装工艺。
2.3、模块常温和高温下的静态特性对比
两只模块在常温和高温(150℃)下的静态特性参数对比如表1、2所示。
由表1、2可知，两只模块在高温下的栅极漏电流IGSS和漏极漏电流IDSS均有小幅上升，两只模块的阈值电压均下降，1号模块阈值电压下降47.44%，2号模块阈值电压下降18.14%；导通电阻RDS(on)分别上升68.18%和51.83%，二极管通态压降VF增幅较多，分别为79.2%和58.3%，说明对于碳化硅二极管通态压降来说，温度升高反而增大，这与双极性的硅二极管的变化情况正好相反。
上述数据表明：温度上升导致芯片中的载流子迁移率上升，进而引起模块的栅极漏电流IGSS和漏极漏电流IDSS增大，两参数的变化幅度也较为接近。温度升高，阈值电压VGS(th)下降，表明温度与阈值电压呈负相关，其中比较显著的是1号模块阈值电压下降较大，达到18%，造成这种结果的可能是由于MOSFET芯片本身存在缺陷，或者封装过程中的键合部位受温度影响较大：如是MOSFET芯片内部缺陷导致，则最大的可能性是由于栅氧或掺杂等工艺并未达到设计要求；如果是封装过程键合部位存在不良，则可通过修改模块封装电路结构来适应芯片的温漂特性来改善这种情况。
进一步地，为了说明是否由于芯片内部缺陷导致模块在高温时的参数发生变化，对比分析了常温下模块和芯片的静态参数，表3为两模块与裸芯片的静态特性参数对比。
由表3可知，常温下1号模块的栅极漏电流IGSS、漏极漏电流IDSS与6.5kV/25A裸芯片的相关参数接近，而模块阈值电压VGS(th)远大于裸芯片的阈值电压，较大可能是模块在封装过程中键合部位出现缺陷，而并非芯片栅氧层工艺缺陷所致。对于2号模块，其栅极漏电流IGSS、漏极漏电流IDSS、阈值电压VGS(th)与6.5kV/25A裸芯片的相关参数接近，对比两只模块和裸芯片的导通电阻RDS(on)(并联)以及二极管通态压降Vf，说明模块中用于续流的6.5kV/25A SiC SBD的静态特性一致性较好，但是封装过程导致的通态压降Vf下降幅度较大也说明二极管的封装工艺后期也需要优化
3、动态特性分析
3.1、动态测试原理
动态特性测试的主要方法包括单脉冲法和双脉冲法。单脉冲法主要用于模拟断路器中MOSFET等器件在2倍额定电流关断时的工况，用以确定MOSFET等器件的大电流关断能力；双脉冲法主要用于模拟换流阀等负载呈现感性的电力电子装置中MOSFET频繁开关的工况，用以确定器件的工作频率。由于双脉冲法能够展现开通过程中续流二极管的反向恢复过程，因此本文根据MOSFET器件后期的工况使用需求，选择使用双脉冲法测量SiC MOSFET的动态特性。双脉冲动态测试电路如图6所示，其中：R为栅极外电阻；Lm为负载电感，图7为双脉冲测试的理想波形图。
双脉冲测试的过程如下：在t0时刻，栅极接收到信号源发出的第一个脉冲，被测MOSFET开始导通，外接高压直流源电压U加在负载Lm上，电感电流开始上升并与时间呈线性关系，器件导通时的集电极电流上升率可由式(1)求得：
t1时刻由于VDS和Lm都已经固定，dt将决定漏极电流的大小。同时在t1时刻被测MOSFET关断，负载Lm的电流由反向并联的续流二极管提供并随时间的增大而减小；t2时刻为第二个脉冲的上升沿，此时被测MOSFET再次进入导通过程，首先由于续流二极管的存在MOSFET会出现电流过冲，即反向恢复电流会通过MOSFET，出现图中的电流尖峰；在t3时刻，被测MOSFET再次关断，此时漏极电流较大，由于母排寄生电感的存在会导致电压过冲的产生。
本文采用LMSYS model TRds 4045-4070测试仪测量了两个模块在常温和高温(150℃)下的动态特性参数。根据IEC 60747-8-2010《半导体装置 分立器件 第8部分：场效应晶体管》测试规范[12]，定义MOSFET的开通损耗为10%导通电流到5%母线电压之间的能量，关断损耗为10%母线电压到2%导通电流之间能量。
3.2、动态特性测试
接下来根据上述动态测试原理，对两只模块进行测试。设置VDS=3600V，IDS=35A，栅阻Rg=16Ω，VGS= -5/20V的条件，两只MOSFET模块开关波形分别如图8、9所示。
对比图8、9的开通关断曲线，两模块的各类波形整体接近重合，说明两只模块在开关过程的动态一致性较好，这意味着并联条件下系统能够保持较好的开关性能。详细的对比两模块的曲线变化，可以发现模块在局部开通或闭合细节方面存在较大的区别：1号模块开通和关断过程中曲线均存在较大的振荡，之后逐渐趋向稳定，相比而言，二号模块的曲线振荡效应较为平缓，表明2号模块在内部封装方面更加稳固，开关性能的稳定性更高，其控制开关过程中电压电流的能力更为柔和。
测试曲线显示：两个模块在二次开通过程中的电流过冲约为20.4和20.7A，幅值大致相近，但不同的是开通和关断过程中曲线上升和下降过程中1号模块漏极电流IDS和栅极电压VGS均出现大致5%~20%的不同程度的振荡，持续时间也较长，达到测试过程的10%左右(0.2μs)。2号模块的动态开通关断过程较优，震荡幅值不超7%，而且持续时间也不超过5%。这些实际数据进一步表明2号模块对于电压电流振荡效应的抑制阻尼性能要优于1号模块。通过测试曲线数据提取和计算可得到两模块在常温及高温下的动态特性参数如表4、5所示。
由表4、5可知，常温下对比两只模块动态参数发现：当负载为电阻性时，2号模块的开通及关断时间和损耗略大于1号模块，各项参数较为接近，参数一致性控制在10%以内，表明模块的封装工艺在一致性方面控制较好，并没有引入过多的随机性因素。
另外，高温下，开通过程中两只模块的动态参数变化率除tr相差较大，其他指标十分稳定；关断过程中的各项动态参数变化率相对一致，动态指标在该测试条件下达到设计要求。对于动态参数与温度的关系，表中数据可以发现随温度升高，模块的关断时间、开通损耗和电流变化率呈现负相关，开通时间和关断损耗呈现正相关。
4、高温可靠性测试
为了验证本次封装的SiC MOSFET在高温下的可靠性，参照IEC60749-23：2004《半导体器件机械和气候试验方法 第23部分：高温操作寿命》测试规范[13]，通过两只模块的高温栅偏(HTGB)和高温反偏(HTRB)试验对器件高温可靠性进行测试分析。
4.1、高温栅偏测试
由于SiC模块的正反向特性并不具备对称性，因此在进行高温栅偏测试时，正向栅压设置为20V，反向栅压设置为-8V，在环境温度为150℃的恒温条件下，分别测试84h，并记录各模块的栅漏电流作为判断模块是否失效的参考指标。模块在进行高温栅偏试验时的测试电路原理如图10所示。
从图11可知，模块在进行高温栅偏试验时，图11(a)显示1、2号模块正向栅漏电流IGSS并不相同，分别为0.2和0.1nA，但是反向测试时，IGSS的变化情况一致，均为0.1nA，如图11(b)。由于测试设备的精度限制(采集精度只能记录到0.1nA级别)，测试过程中栅漏电流并没有发生明显的变化。测试结果说明，两只模块在150℃的高温环境均有较为稳定的高温栅偏性能，而且其栅极漏电流达到了国际先进水平。
4.2、高温反偏测试
对完成高温栅偏测试的两只碳化硅模块继续进行了168h的高温反偏可靠性测试，环境温度设置为150℃，并记录各模块的漏极电流IDSS作为判断模块是否失效的依据，测试平台可在电流超过1000mA时进行断电保护。对模块施加反偏电压VDD=5200V，模块在进行高温反偏试验时的测试电路原理如下图12。
图13中高温反偏测试时的漏极电流曲线可以看出：在初始测试时间段内，IDSS急剧增大，1、2号模块分别在接近10、20h处达到峰值约为230、250mA，之后缓慢下降并趋于平稳，稳定后的漏极电流保持在150~160mA之间，通过漏极电流变化曲线可以说明两模块的高温反偏可靠性较为一致，不同的是2号模块达到峰值的时间较慢，且峰值后的下降时间也慢于1号模块。在测试过程中，漏电流也并未突变超出测试设置范围，顺利通过了高温反偏测试。
两只模块依次经过了高温栅偏和高温反偏测试，其栅漏电流和漏级电流均未发生较大波动，此外为了判断模块在经过高温可靠性测试之后其电压特性是否有异常，本文对两只模块在动态、高温栅偏和高温反偏测试后均在常温下测试了阈值电压，测试条件均为VDS=10V，IDS=10mA，其变化情况如图14所示。
图14显示了不同阶段测试后的两只模块的阈值电压变化情况，曲线表明两模块的阈值电压变化的整体过程较为相似，均在高温静态测试时VGS(th)较小，之后常温动态测试和高温栅偏测试对于阈值电压的影响很小，变化幅度小于10%，但最后的高温反偏测试对阈值电压影响较大，其衰减幅度分别达到了25%(1号)和21%(2号)，总体而言，在本文的所有测试阶段，阈值电压并没有出现较大下降或飘升，可见不同测试阶段的模块电压特性也是较为稳定的。
5、模块及芯片特性的对比
5.1、与ABB 6.5kV Si IGBT功率模块特性的对比
本文为了进一步分析本次团队基于6寸SiC晶圆研制的芯片而设计封装的6.5kV SiC MOSFET 模块的性能，选择与ABB 6.5kV Si IGBT功率模块进行了部分参数的对比[14]，见表6所示。
由表6可知，团队本次研制的6.5kV SiC MOSFET模块与ABB公司6.5kV Si IGBT模块相比，栅极漏电流和漏级电流均远远小于Si IGBT模块，并且在保持相同开关频率下，SiC MOSFET模块总的开关损耗约是传统Si IGBT模块的0.4%，其中关断损耗仅为Si IGBT的0.045%，另外，已知SiC MSOFET模块相对于Si IGBT模块可以实现极高的开关频率，这两项性能优势是Si IGBT模块无法比拟的，后期通过芯片制备和模块封装工艺的持续优化，可更大的降低开关损耗，对于6.5kV同型号的IGBT的替代优势将更为突出。
5.2、与前期同型号SiC模块及芯片特性的对比
对比了本团队前期在基于4英寸碳化硅衬底上制备的SiC MOSFET和SBD封装而成的6.5kV的碳化硅模块的部分参数，本代模块基于6英寸碳化硅衬底，同样外延厚度(约65μm)，并优化了部分设计的SiC MOSFET和SBD，对比的参数性能如表7。
表7说明了常温时，新研制的SiC模块的漏电流要更小，下降幅度超过65%；对比常温和高温测试下的导通电阻RDS(on)，其数值均有了明显的降低，而且前期的碳化硅模块在高温时的导通电阻是本期模块的两倍以上，表明其导通损耗也将更大；由于本次模块封装工艺过程中的键合或焊接部位受到温度影响较大的问题，本期模块的阈值电压VGS(th)均大于前期模块；对比开通时间，本次的两只模块均明显降低了，但是关断时间有所上升；在开通损耗和关断损耗方面，本次的两只模块均表现出更加优异的性能，开通损耗降低了约33%，而关断损耗降低了50%左右。
另外，本次用于模块封装的碳化硅芯片是基于6寸SiC晶圆研制的6.5kV/25A SiC MOSFET和SBD器件，与团队前期基于4寸碳化硅衬底研制的6.5kV/25A的SiC MOSFET和SiC SBD芯片的测试曲线及参数进行对比。本次流片的器件在结构上的优化主要体现在改变了沟道及JFET区和场限环终端设计上，进而优化芯片性能。通过将原来等间距的浮空场限环结合电场仿真进行了环间距和个数的重新设计，修改为变缓变系数的缓变间距的终端设计，一方面防止了边缘效应引起芯片过早击穿，另外通过优化环间距及个数，可最大限度的均匀表面电场，避免因电场集中而击穿。图15为随机挑选的团队本次基于6寸碳化硅晶圆和前期基于4寸碳化硅晶圆研制的6.5kV/25A SiC MOSFET芯片的阻断特性的曲线对比，可以看出两款芯片在的击穿电压均超过了7.5kV(限定漏电流为10μA)，而且在达到设计耐压6.5kV时的漏电流均小于2μA，但是本次基于6寸碳化硅晶圆研制的SiC MOSFET芯片的反向漏电流要更小。
6、结论
本文在基于项目组前期4寸碳化硅晶圆制备的芯片封装而成的同等电压等级的碳化硅模块研究的基础上[11]，选取优化后碳化硅MOSFET和SBD芯片设计，并在6寸碳化硅衬底上流片制备的碳化硅器件，封装成6500V/50A碳化硅MOSFET模块，测试并对比分析了两只该型模块在常温及高温(150℃)下的动静态特性参数、高温可靠性数据及变化情况，测试结果表明SiC MOSFET具有快速的开关特性及可靠的高温栅偏、反偏特性，其中两只模块常温下的开通时间、开通损耗、关断时间、关断损耗和漏电流分别为102.7ns(119.7ns)、8.15mJ (9.875mJ)、96.9ns(165ns)、0.7mJ(0.4mJ)、<3μA，高温栅偏漏电流稳定的保持在0.2nA以下，高温反偏漏电流稳定在150~160mA之间，并且进行了各阶段测试后阈值电压的监控，并没有出现较大的变化。新一代模块在漏电能力上有了极大提升，本次6500V/50A模块的漏极漏电流与前代25A模块相比降低了22.5%~47.5%，开通损耗降低了约33%，关断损耗降低了约50%。此外，测试了用于本次封装项目组优化后的裸芯片，测试结果显示基于6寸碳化硅晶圆研制的芯片比优化前基于4寸碳化硅晶圆研制的碳化硅芯片在漏电流方面也降低近50% 左右。
通过两模块测试结果之间的对比及模块与芯片数据的对比，可以发现本次封装的两只模块的动静态特性及高温可靠性较为一致，并且漏电流性能也有较大提升，但是封装工艺没有达到输出特性要求，后期需要在键合及二极管焊接等方面继续改进。另外相关测试结果也对项目组后期模块封装工艺的优化具有很大指导意义。
通过和ABB的6.5kV Si IGBT模块的对比可知国产6.5kV SiC功率模块可以在高频工作状态下保持 较 低 的 开 关 损 耗 和 较 高 的 开 关 频 率 。SiC MOSFET模块总的开关损耗是Si基IGBT模块的0.4%，其中关断损耗仅为Si IGBT的0.045%，若能有效提升SiC SBD的反向恢复能力以及模块的封装工艺则可进一步降低开关损耗及其他各项性能指标。通过本文的测试结果进一步说明碳化硅器件在交直流输电系统及配电网系统具有巨大的优势，未来在环境要求更加严酷和条件下，可逐步替代硅基IGBT，应用前景广阔。
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