江苏本川智能电路科技股份有限公司于5月21日发布公告，其控股子公司南京本川鹏芯科技有限公司近日与西安交通大学正式签署《技术开发（委托）合同》，共同开展功率半导体器件CIPB高密度封装技术的专项研发。
根据公告，本次合作项目聚焦于碳化硅（SiC）多芯片并联嵌入式CIPB功率半导体封装技术。技术开发目标明确，旨在通过多物理场仿真，验证该封装技术在SiC多芯片并联工况下的可行性与极限边界，并在设计阶段识别并消除因高dv/dt、高功率密度带来的电、热、机械失效风险，为后续工艺定型、可靠性测试和量产降本提供数字化依据。
合同约定的技术研发内容涵盖电性能、热性能及机械可靠性三大维度。具体包括三维寄生参数提取、多芯片并联瞬态均流仿真、EMI频谱分析；稳态与瞬态热-流耦合仿真及高温热点定位；以及热-结构耦合应力、功率循环、温度循环等试验仿真。
此次技术委托开发的研究经费和报酬总额为人民币50万元（含税3%）。合同约定，双方将作为共同专利申请人，共享本项目研发成果的专利申请权。其中，本川鹏芯享有免费、永久、不受限制的商业化使用权及独立收益权，而西安交通大学仅可将其用于学术研究。
本川智能在公告中表示，此次合作旨在深度依托西安交通大学在电力电子领域的科研优势，结合公司自身在PCB领域的产业化经验，协同搭建适配CIPB技术路线的新型碳化硅封装结构及配套工艺体系，加速完善公司在高端电力电子器件赛道的产业布局。
公告同时提示，项目研制开发周期约为1年，合同的履行可能受研发进度、行业政策及市场需求变化等多种因素影响，预期效益存在不确定性。
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