目前所有的IGBT器件均包含寄生晶闸管结构，因为在大电流工作条件下，寄生晶闸管结构会被触发形成闩锁，从而导致IGBT器件产生破坏性失效，所以以下介绍一下IGBT如何抑制寄生晶闸管导通的方式。
寄生晶闸管
下图是IGBT器件的几个，图中示意了寄生晶闸管结构，由P+集电极、N-漂移区、Pwell、N+发射极构成，其等效电路如右图所示。电路由NPN管和PNP管结合并形成正反馈回路。一旦寄生晶闸管进入到闩锁触发状态，电流将会不断地被正反馈回路放大，并最终导致器件无法栅控关断而失效。
尽管IGBT器件结构中，发射极金属覆盖J3结，即短接N+发射极和Pwell，但是只要位于N+发射极下方的Pwell区电阻足够大，寄生NPN管仍可能开启导通。这个寄生电阻即为等效电路中的Rs电阻。如果这个电阻足够小，那么就可以防止这个寄生NPN型晶体管开启，继而抑制了寄生晶闸管的开启。
寄生晶闸管的抑制
一旦器件内部的寄生晶闸管进入闩锁触发状态，器件将会失去栅控关断能力。同时器件进入负阻区，即I-V特性出现回滞现象，器件电流出现较大的跳跃，但是器件的导通压降是降低的，使得器件出现破坏性失效。所以，在任何工作条件下，都要防止器件进入闩锁状态。一般而言，闩锁触发电流密度JC,L应该为器件正常工作时开态电流密度JC,ON的十倍，确保器件有较大的安全工作范围。
当器件进入闩锁触发状态时，IGBT内部由NPN晶体管和PNP晶体管耦合形成的晶闸管增益一定是大于1的。因此，可以通过减小NPN晶体管或PNP晶体管的增益来抑制器件产生闩锁的概率。但是寄生PNP晶体管的基区很宽，减小这个增益反而会造成整个IGBT器件的导通压降。因此，更好的办法是通过减小IGBT结构内NPN晶体管的增益。这个思路对闩锁抑制有很大的影响。
1、深P+扩散
抑制IGBT结构内寄生晶闸管开启的方法是减小N+发射极下方Pwell电阻。可通过引入一个深P+扩散，以减小Pwell区的电阻，而不影响沟道区域的杂质浓度。
空穴电流Ip流经轻掺杂Pwell区电阻RB1和深P+区电阻RB2，RB1和RB2可以表示为：
式中，ρp和ρsp分别是Pwell的电阻和方块电阻，ρp+和ρsp+分别是深P+扩散区的电阻和方块电阻，Z是IGBT元胞宽度。
当发射极-基极电势超过结内建电势（Si基器件为0.7V），发射极开始注入电子，NPN晶体管开始活跃起来。因此，当由空穴电流在Pwell产生的电压降等于PN结的内建电势时寄生晶闸管产生闩锁：
上述方程的空穴电流可以通过将空穴电流密度和元胞面积相乘Wcell*Z来计算。导通时，器件的空穴电流表示为：
式中，αpnp,on为高注入条件下的PNP晶体管的共基极电流增益。
对于具有缓冲层结构的IGBT而言，其电流增益由IGBT的集电极/缓冲层结J1的注入效率和基区输运系数决定：
导通时，电流增益的典型值为0.5，综上可以得到闩锁电流密度为：
所以，超过P+区的N+发射区长度Lp决定了器件的闩锁电流密度。因此，可以把Lp做到更小的尺寸，器件的闩锁电流密度可以更大。但是闩锁电流密度会随着温度的增加而减小，这是因为晶体管电流增益和Pwell区电阻会增加、内建电势会减小。
而P+区的横向扩散可以延伸直到它的掺杂浓度与峰值Pwell的掺杂浓度接近，这比垂直方向上P+区域的结深要长。同时可以将横向扩散至P区域内的N+发射极长度Lp做到尽可能小，以达到更大的闩锁电流密度。但是这会造成器件结温升高，导致电流增益和Pwell电阻增大，内建电势降低，闩锁电流密度随温度升高而降低。
2、减小栅氧层厚度
除了提高Pwell区掺杂浓度，降低了此区域的电阻，但是如果在栅氧层厚度固定时，提高Pwell区域的掺杂浓度会使器件的阈值电压增加。因此，需要针对性的减小栅氧厚度，而且，减小栅氧厚度为减少IGBT的导通压降带来有利的变化。
前文：阈值电压详解里讲到了IGBT的阈值电压公式如下：
tox为栅氧厚度，NA是Pwell区域掺杂浓度，QF是氧化层电荷密度，WF为栅极与Pwell之间的功函数。
保证器件阈值电压不变的情况下，通过减小栅氧厚度，可以使得Pwell区的掺杂浓度大幅增加。因载流子迁移率会随着掺杂浓度的增加而减小，所Pwell的方块电阻大小与其掺杂浓度不呈反比关系。
基于阈值电压近似表达式，器件阈值电压与栅氧厚度和Pwell掺杂浓度的平方根呈正线性关系，即器件栅氧厚度减小一半，Pwell掺杂浓度可以增加4倍。而器件阈值电压保持不变。这样的结果可以使得闩锁电流增加为原来的4倍。但是，实际上因掺杂浓度的增大导致载流子迁移率减小，闩锁电流密度的提升并没有预期的提升。
3、空穴电流分流结构
当空穴电流流过Pwell区，使得Pwell/N+结正偏，导致寄生NPN晶体管开启，进而导致IGBT器件发生闩锁。因此，可以对流经Pwell的空穴电流进行分流并远离N+发射极区域，以提高闩锁电流密度。这可以通过在沟道附近增加一个分流区域来转移晶体管电流。具有空穴电流分流结构的IGBT器件如下图所示。
此结构中的Pwell、N+发射极和P+分流区通过同一层金属相连，这就允许在器件顶部使用单一的大区域金属电极，消除了采用细线型发射极金属金属。
在假设流经P+分流区的电流IP2是和P+分流区长度与元胞长度呈比例关系，具有P+分流区结构闩锁电流密度可以表示为：
通过引入P+分流区，可以显著提高闩锁电流密度，而且还会使得器件导通压降增加，这主要是因为流经寄生NPN晶体管的基极电流减小了，其限制了沟道电流，减少了从沟道流出后的电流通路面积。正因为此，需要将P+分流区的结深维持在较浅的结深是非常关键的。
4、器件元胞结构
这个篇幅在功率器件的元胞布局介绍这里有所介绍，后续再单独开一篇进行详细描述器件元胞形状的区别。
总结
目前，随着各项技术方面的创新以及新结构的引入，使得目前IGBT具有了较强的抗闩锁能力，闩锁缺陷的控制目前来说并不是一个非常困难的问题题。
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