为解决传统结构存在的雪崩击穿位置随机变化问题，前人在每个元胞中引入深P扩散区，深P区沟槽栅功率MOSFET由此发明，
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如上，deep P+即为深P扩散区（上图删去deep P+即为传统结构），
引入deep P+的作用有二：
1、deep P+和N外延形成的PN结会改变器件内部的电场分布，降低栅氧化层电场，
2、通过穿通雪崩（由深P+ / N外延/ N+衬底结构决定）钳位最大电压，避免雪崩过程发生栅氧损坏，
但这种方案的代价是——深P+区会压缩电流路径、限制电流扩展（见上图黄色区域），器件导通电阻因之增大。
为了解决深P+区带来的导通电阻增大问题，1995年，前人又鼓捣出一种改进方案，
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如上，思路很简单——不再每个元胞都设深P+区，而是N个元胞设一个深P+区，
通过仿真证明，当N=16时，可实现与单元胞钳位相媲美的雪崩能力，
在30V沟槽栅功率MOSFET中应用这种方案，结果显示，器件元胞密度提升接近2倍，达到5 Mcell/cm²，导通电阻降低50%，为上一代沟槽栅功率MOSFET的一半，
电阻的降低，既源自沟道密度的增大，也源于大部分元胞不存在深P+区，电流扩展更加顺畅。
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这张图是两种深P区沟槽栅功率MOSFET方案的性能对比，
Unit Cell Clamp为每个元胞都设深P+区，1-of-16为N个元胞设一个深P+区，
横轴元胞密度（每平方厘米芯片，有多少个元胞），纵轴比导通电阻，
前者呈现U型，
即，当元胞密度较小时，随着元胞密度的增加，器件电阻逐渐减小，这是因为沟道密度增加带来并联的沟道宽度增加。
存在一个元胞密度最优值，此时器件导通电阻最小，
再往后，随着元胞密度的增加，器件电阻又开始逐渐增大，
为什么会这样？
因为元胞密度太大，意味着元胞间距很小，此时每个元胞内部，相邻深P区靠得太近，电子从沟道出来后，向漂移区的扩展路径被压缩，
换言之，设置深P+区，相当于在沟槽栅功率MOSFET中又引入了JFET区电阻。
道理很简单，在基本结构中，P阱被沟槽隔断，且P阱的深度小于沟槽深度，于是消除了JFET区电阻，
而在深P区结构中，深P+区的底部在沟槽底部之下，于是沟槽无法完全隔断相邻的P区，又形成JFET区电阻。
沟道密度越大，元胞间距越小，引入的JFET区电阻增长越快，最终完全抵消沟道密度增大带来的沟道电阻降低之收益。
而如果N个元胞设一个深P+区，在统计范围内，随着元胞密度的增大，器件导通电阻单调降低，
原因是该结构多数元胞中不存在JFET电阻，电流扩展更加顺畅。
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与这张图对比，看得更明显，
横轴是元胞密度，纵轴是比导通电阻，
为什么平面MOS呈现U形，而沟槽MOSFET随着元胞密度的增大，电阻单调降低（这里的沟槽MOSFET是传统结构）？
其实是同样的道理，
对平面MOS而言，随着元胞密度的增大（元胞间距的减小，比如从10μm降到5μm），每平方厘米芯片中包含的沟道数量随之增大，沟道电阻因而降低，
但元胞密度继续增大，JFET区电阻开始急剧增大，
因为相邻P阱的间距太小，耗尽区严重挤压导电路径，电流拥挤效应导致JFET区电阻骤增。
换言之，对平面MOS而言，元胞密度的增大应该存在某个临界点，
在此之前，沟道电阻降幅胜过JFET电阻增幅，于是总电阻降低，
在此之后，JFET电阻增幅胜过沟道电阻降幅，于是总电阻增大。
而传统沟槽MOSFET之所以未出现该现象，是因为沟槽的存在直接隔绝了相邻P阱区，相当于消除了JFET区，
电子从沟道出来后，直接向下进入漂移区，不需要在两个相邻P阱之间的狭窄通道中堵车。
平面MOS则不然，沟道位于半导体表面，导致电子从沟道出来后，必须经由相邻P阱之间的JFET区域，如下图，
白色虚线是俺随意画的耗尽区边界，红色箭头是电流路径被挤压后的情形，
若元胞密度太大，元胞间距太小，意味着JFET宽度太小，
可以想象，电流路径被挤压得更厉害，在此处发生严重堵车，车流量骤降。
于是有此差异。
换句话说，在沟槽栅功率MOSFET中引入深P+区，从JFET区的角度看，本质上是将其还原成平面MOS，只不过JFET区位置更深而已，
当然，沟道方向改变带来的迁移率提升，导致沟道电阻降低，以及元胞间距缩小带来的沟道密度提升，这部分仍然存在收益。
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