维也纳PFC整流器的主要损耗是由功率半导体器件，升压电感器和共模电感组成。热设计的关键是功率半导体器件损耗计算。在此设计中，所有12 个MOSFET 均为硬开关，通过开通能量Eon 和关断能量Eoff 来计算功率器件开关损耗。
根据相关文献，基于数据表和曲线拟合方法构建，通过查表找得到Eon(ID;VDS) Eoff(ID;VDS)的值，用于计算某些中间的值。平均二极管电流 IFav、均方根二极管电流 IFrms ，和均方根漏极电流 IDrm，这些电流量可以用来计算器件传导损耗。从相关文献得到，IFav=IL M/4 、IFrms = IL q 2M /3Π、IDrms = IL q 1/ 4-2M/ 3Π. 其中M 是调制指数，IL 是电感电流的幅度。二极管导通损耗PCD 为 表示为如图公式1所示。值得注意的是，除了二极管的正向压降和电流导致的损耗之外，还需要考虑二极管的阻性损耗。
MOSFET导通损耗PCM表示为公式2所示，体现为纯阻性损耗。
MOSFET 开关损耗PCM 计算如下如公式3所示。
因此，半导体器件的总损耗为公式4所示。
此拓扑设计中，有6个功率二极管，每一相两个，所以共6个二极管的损耗，而SiC MOSFET每一相为四个,所以共12个SiC MOSFET,均体现在上述公式中。
表2显示了Vienna PFC的样机在满负荷20kW运行条件下损耗计算结果。
上表分析了维也纳PFC设计的各个部分的损耗，由此看出SiC DIODE部分的损耗较为明显，处于第二位的损耗是SiC MOSFET的开关损耗，所以优化系统效率的方面可以从这两部分着手。
功率半导体器件的工作结温选择是功率器件散热设计的关键，这涉及到一个最差的情况，从效率的角度来看，传导损耗随着结温的增加而增加，因为RDSon 的温度系数为正，SiC MOSFET 的导通损耗随着温度的升高先下降后增加。
在本文中， 考虑一定的降额，工作结温设定为 105℃，设计中使用了散热器，每个相腿均使用一个独立的散热器，当我们计算出各个器件的损耗后，基于此就可以进行热计算。从损耗计算来看，最大设计热阻抗如下公式5所示。
对于散热器的选择和热阻抗设计，采用一维热等效电路模型，等效热阻由 器件封装热阻抗、散热器等的热阻抗 ,热界面材料组成，这几部分热阻需要达到充分的值。图8所示为功率半导体器件的热结构，及其相应的一维热等效电路如图9所示。
从芯片内部产生损耗，热量由内到外经由封装热阻，热界面材料，散热器等若干材料部分的热阻，最终耗散到空气，形成一个串联回路。
强制风冷条件下散热器的热阻为0.35K/W， 来冷却 SiC MOSFET 和 SiC 肖特基二极管。AlN 热界面从器件到散热器传导热量，并提供高压绝缘，这两点功能普遍存在于功率器件的散热设计中。此外，还采用新型相变材料来代替导热硅脂，因其较低的热阻，可长期热稳定性高 ，热容量大等优势，各个部分的热阻列于如下表三中。
可以看到总的热阻为0.797K/W，小于计算的需求最大热阻0.91K/W。
除了半导体功率器件之外，升压电感的损耗也是重要的一部分损耗，它包括磁芯损耗和铜损，其中磁芯损耗曲线拟合公式如式(6)所示。对于 60u 高磁导率的磁芯，相关常数为a=2.284，b=3.050，c=0.0023，d=2.397。
磁芯损耗主要分为两部分：高频开关电流纹波和基波电流引起的磁芯损耗，可以根据两部分电流导致的磁感应强度的变化来计算磁损，第二个影响磁芯损耗的因素是开关频率。
高频开关电流纹波引起的磁通量B-hf的变化为，如公式7所示。
基波电流纹波引起的磁通B-hf的变化为，公式8所示。
因此，总的电感磁芯损耗如公式9所示。
升压电感的铜损计算公式为10所示。
因此，每个升压电感器的总损耗为公式11所示，可以看出磁芯损耗和铜损耗比较均衡。
根据上面的损耗计算，电感损耗较大，因此升压电感安装在风道中进行散热 ，如图10所示 。
以上就是关于一个20kW维也纳PFC的主要功率器件的计算及热设计过程。
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