近日，VisIC公司在北京举行新闻发布会，其首席执行官（CEO）Tamara Baksht博士接受了媒体采访，谈到了他们的车规级GaN技术的商用化进展，其中提到：
GaN产品已通过头部车企的长期验证，现代汽车的GaN车型将于2029年量产；
VisIC的GaN方案将搭载于特拉斯的演示车，将在2026年进行路测。
“行家说三代半”将Tamara Baksht的采访内容翻译编辑，供大家参考，也为一年一度的第三代半导体“行家瞭望”栏目打头阵，企业参与我们的栏目访谈可添加许若冰微信（hangjiashuo999）。
现代GaN车型2029年将量产，特拉斯GaN汽车2026年将路测
行家说三代半：最近，VisIC刚获得现代汽车的投资，能否总体介绍一下贵公司的资本运作情况？
Tamara Baksht博士：2010-2021年间，VisIC累计融资额达7220万美元（约合人民币5亿元）。2026年1月，我们又完成了2600万美元（约合人民币1.8亿元）B轮融资，现代汽车集团和起亚Kia作为战略投资者参与了本轮融资。
我们很高兴能够获得现代汽车集团的B轮投资，我们致力于成为一家在全球氮化镓功率器件领域占据技术高地的创新企业，以独特的D-Mode氮化镓技术（D3GaN）为核心，在电动车与AI数据中心两大高价值赛道持续发力。
而本轮融资的用于4个方面：
一是优化第三代750V GaN芯片与功率模块；
二是开发第四代1350V GaN技术；
三是稳定并扩大电动汽车牵引逆变器GaN产品的交付规模；
四是拓展新兴800V数据中心市场。
行家说三代半：VisIC成立之初就将市场拓展目标瞄定新能源汽车，能否介绍一下贵公司目前在汽车领域的市场开拓进展？
Tamara Baksht博士：VisIC成立于2010年，16年来我们一直在开发和完善我们的氮化镓产品和技术方案，并且已经在汽车领域获得了比较不错的成绩，总体可以分为3个阶段。
第一阶段是2018-2019年，例如VisIC获得了双向车载充电器(Bi-OBC)的设计定点（design-win），并且在全球五大汽车公司之一的电驱动项目实现设计导入（（design-in）等。
第二阶段是2023-2024年，我们将战略重心转向汽车级氮化镓产品开发，开启了“从技术到产品”的商业化转型。
在此期间，VisIC实现多项关键技术与供应链里程碑，例如：
陆续开始与欧洲、亚洲主要汽车OEM厂商展开合作；
第一代D3GaN模块完成了超过100kW电机测试；
第二代D3GaN模块完成汽车OEM厂商的性能验证等。
截至目前，我们的D3GaN已通过现代汽车等头部车企的长期验证（这也是现代汽车战略投资的关键）。现代汽车已经确定将在混动车型和纯电车型中导入我们的氮化镓产品，其中轻混HEV车型预计将于2029年实现量产（SoP）。
此外，我们还积极与2家全球OEM厂商开发相关纯电车型的80-350kW电驱项目，还有另外3家OEM和Tier1正在对我们的氮化镓进行技术评估中。
而且VisIC与恩智浦联合开发的氮化镓电驱方案即将落地应用，特斯拉上演示车将于2026年进行路测。
氮化镓单芯片电流突破230A，为汽车进行4大维度定制化开发
行家说三代半：过去氮化镓被认为很难“上车”，VisIC即将打破这个“成见”，这背后你们做了哪些工作？
Tamara Baksht博士：新能源汽车对氮化镓的需求主要包括4个方面，包括：绝对可靠性、量产一致性、低开关损耗和高阈值电压下的大功率输出。
围绕这些需求，我们为客户开发了定制化的D3GaN技术解决方案。首先是提升氮化镓芯片的电流。
我们今年推出了Gen 1+和Gen 2产品，大幅提升了氮化镓器件的出流能力，其中Gen 1+的氮化镓裸芯片面积达98 mm²，在650V器件可提供170A电流。而Gen 2的导通电阻低至4 mΩ，650V器件的电流容量高达230A。
我们的半桥模块采用650V的Gen 2 氮化镓芯片，其杂散电感低于4nH，单个模块提供高达 400A电流。我们将于2026 年推出第三代750V氮化镓芯片，届时整个氮化镓半桥模块的电流能力将提升至500A以上。
其次是提高氮化镓芯片的可靠性。首先，我们采用的是直驱架构的D-Mode氮化镓，器件栅极阈值电压约为7V，因此具备更宽的栅极安全操作区间（SOA）操作区间，为系统设计提供了更大的容错空间，在高功率场景下能有效规避失效风险。
根据弗吉尼亚科技大学的测试，我们的D3GaN解决方案在感性负载开关中的表现可与硅及碳化硅媲美。而且汽车级主动短路测试（ASC）结果显示，实现主动短路时，硅或SiC所需的电流高达D³GaN的3倍，我们的GaN在安全关断方面具备显著优势。
在功耗方面，我们的D3GaN产品在130kW功率下实现了99.67%的超高效率，WITT工况下开关损耗较碳化硅降低250%。
本地化供应打开中国汽车市场，瞄准2MW数据中心电源
行家说三代半：VisIC过去获得了晶方科技的投资，能否总体谈谈贵公司在中国市场的发展规划？
Tamara Baksht博士：中国市场对我们来说非常重要。在具体业务上，我们最优先要做的是电动汽车的逆变器。因为中国在汽车领域的技术已经比较成熟了，供应链也很扎实，而且客户的需求是实实在在摆在那里。
目前，我们正和中国的车企以及他们的一级供应商一起开发样车，把软件调通，把各种使用场景验证好，从而来加速氮化镓技术在中国新能源汽车的落地。
就我个人来说，过去五个月里，我带着核心团队来了中国三次。这中间差不多一半的时间，我们都用在了和产业链伙伴的对接上，比如晶圆代工、封测、驱动器开发等环节。我们的目标很明确，就是从芯片制造到软件适配，都尽可能在中国本地完成。
此外，我们也正在和国内一些顶尖的学术机构、制造企业探讨合作，一起规划氮化镓功率器件未来的技术方向和产能该怎么布局。最终目的，就是要打造一个真正属于本地、同时具备“低成本、高性能、可量产”优势的氮化镓供应链体系。
行家说三代半：除了汽车，未来5-10年VisIC会朝着哪个方向发展？
Tamara Baksht博士：在VisIC看来，氮化镓技术目前仍处于向新应用领域渗透的初期阶段。市场接受度最早体现在手机快充上，随后逐步扩展至太阳能逆变器、车载充电机、双向隔离开关等半导体用量更大的领域，并最终进入高产量、高价值的电驱动逆变器市场。
我们认为，下一个重要的新兴市场将是数据中心电源，而VisIC独有的D³GaN™技术在所有GaN解决方案中优势显著，能够以高效率、低制造成本实现高功率输出，有望在该领域发挥关键作用。
因此，在未来几年，VisIC除了重点围绕400V/800V电动车主驱逆变器外，我们还将瞄准2MW级数据中心电源需求，开发性能更优的氮化镓器件，以应对人工智能算力增长所带来的功率挑战。
目前，我们正在扩大顶部冷却隔离式V22TG无引线封装的生产规模，该封装适用于车载充电机（OBC）及未来AI数据中心的电源系统。此外，新一代大电流版本的氮化镓芯片产品已在准备中，我们也在探索与宽禁带栅极驱动器芯片的集成方案。随着代工与封装生态日趋成熟，预计2025年至2026年将迎来更多设计订单和演示成果。
行家说三代半：VisIC在供应链建设方面有哪些进展？未来公司的发展愿景是什么？
Tamara Baksht博士：VisIC早已实现供应链多元化，并与多家代工厂建立了合作关系，以确保长期的韧性和可扩展性。我们积极转向8英寸晶圆生产，不仅保障了产能，还优化了成本结构，增强了支持大众市场电动汽车项目的能力。此外，我们还与合作伙伴共同研发12英寸硅基氮化镓晶圆，以确保未来的成本优势。
我们的长期愿景是成为高压应用领域（尤其是电动汽车领域）领先的氮化镓功率半导体供应商。我们的目标是拓展多芯片模块、智能功率级和人工智能优化的能源管理系统。VisIC将继续推动硅基氮化镓技术的创新，提供高效、可持续且可扩展的解决方案，从而重塑电力电子行业。
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