MOSFET共源极连接时的输出特性也称为漏极特性，这时源极接地，漏极和源极分别接在不同的电压源上。以NMOS为例，其输出特性是指当VGS>Vth并保持恒定时，漏极电流ID随漏源电压VDS的变化而变化的规律。MOSFET的输出特性可分为三个不同性质的区域：
当VDS是一个很小的正值时，整个沟道长度范围内的电势都近似为0，栅极和沟道之间的电势差在沟道区域处处相等，因此沟道中的电子浓度近似相等，此时沟道可视为一个与VDS无关的固定电阻，IDS和VDS近似呈线性关系，如下图A阶段，沟道电阻就是这个线性阶段的倒数。而器件的Rdson的确定就是取这个阶段的整个器件的导通电阻；
当VDS较大时，沟道电阻将会随VDS的增大而增大，使得ID随VDS的增加速率变慢，曲线偏离线性关系，逐渐向下弯曲；
当VDS大于VDsat时，器件沟道出现夹断现象，夹断点逐渐向源极侧移动，而在有效沟道和高压侧之间隔着一段耗尽区。当沟道中的自由电子到达沟道端头的耗尽区边界时，将力计被耗尽区内强电场拉入漏极。因电子在耗尽区内的漂移速度已经达到了饱和速度，不再随电场的增大而增大，所以此时漏极电流ID也达到了饱和，不再随VDS的增大而增大，如下图BC段；
当VDS增大到漏源击穿电压BV时，反偏的PN结（Pwell和N-漂移区）会因雪崩倍增效应而发生击穿，此时ID将会迅速上升，相当于下图中的CD段。
下面讨论功率MOS中的测试参数导通电阻Rdson、阈值电压Vth和源漏击穿电压BV。
导通电阻的测试
当MOS工作在非饱和区且VDS较小时，其IDS-VDS曲线是直线，如上图A段所示。这时的MOSFET相当于一个电阻值与VDS无关的固定电阻，定义为Rdson。NMOS的导通电阻公式如下：
其中，L为沟道长度，W为沟道宽度，tox为栅氧厚度，μn为沟道电子迁移率，εox为栅氧介电常数。这个公式可以看出，导通电阻是栅压的函数，栅压越大，导通电阻越小。
导通电阻的测试比较简单，根据器件的规格或应用条件，主要是栅压和额定电流，给栅源一个固定的电压值，再漏源两端通入额定电流，测试得到的电阻值就是器件的导通电阻值。
失效分析中，阈值电压漂移、氧化层电荷积累、欧姆接触退化、外部键合退化等都会导致导通电阻测试值的变化。
阈值电压的测试
阈值电压也称开启电压，是MOSFET关键的参数，其定义是使MOS栅极下衬底表面开始发生强反型时的栅极电压，记为Vth，其公式为：
测试阈值电压的方法有很多，工程上惯用的是固定漏极电流法，即给漏源两端通入一个较小的定值电流，同时短接栅极和漏极，源极接地（即VGS=VDS），这时得到的GS两端的电压值即为工程上的阈值电压值。
影响MOS器件可靠性的主要失效机理如热载流子注入（HCI）、负偏压不稳定性都会导致MOS阈值的变化，而阈值电压的测试则是呈现这些失效机理的直接表现。
源漏击穿电压的测试
当漏极电压超过一定数值后，漏极电流会迅速增大，发生源漏击穿，这个击穿可能有两个原因：漏极PN结的雪崩击穿和源漏穿通。对于功率MOS而言主要以雪崩击穿为主。
源漏击穿电压电压的测试与二极管击穿电压的测试类似，保持GS两端短接，给漏极施加脉冲电流（规定值），此时器件源漏两端电压则为器件标称的击穿电压（如想要测试器件极限击穿电压，则是保持VGS=0，步进式增加VDS两端电压，监测IDS漏电值。）
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