IGBT的栅极对外显示出了类似电容的特性，即电压由充电电荷和电容决定，即：
电容的数值一般是恒定的，所以在一定电压下，电压与电荷呈线性关系，但是IGBT的等效电容则不一样，如下图所示：
从上图中可以知道，栅极电荷充电可以分为四个区域：
时间A点，栅极电荷处于积累模式。AB之间的电容CGE被充电，VGE根据下式上升：
实际应用中，时间A~B由驱动电阻(包括栅极内置电阻和驱动外置电阻)和等效栅极电容决定。所以电容CGE不是线性上升，而是按指数规律上升。
时间B点，VGE达到了平带电压VFB，受电压影响的MOS电容(属于CGE的一部分)不再影响充电过程，这时候相比于A~B时间段，CGE的值在降低。相应地，栅极充电斜率上升。
时间段B~C之间，栅极电压VGE,B~C超过了栅极阈值电压Vth，所以IGBT开始导通工作。
时间段C~D之间，栅极的充电过程是由反馈电容CGC(可直接称为米勒电容)决定。
这个过程中在集电极-发射极电压VCE不断降低，电流IGC通过GGC给栅极放电，这部分电流需要驱动电路IDriver来补偿，所以体现在VGE曲线上就会出现一个恒定的电压，这个现象称为米勒平台。米勒平台期间VCE和IC都较大，产生的开关损耗也会较大。
IGBT一旦进入饱和，此时的电压称为饱和电压降VCEsat，dVCE/dt会下降到0，也没有任何反馈。
在到达时间E点之前，驱动电流会对栅极一直充电，效果类似于AB段。
栅极电荷
栅极电荷QG的定义是：栅极-发射极电压VGE从规定的低值上升到规定的高值所需要的电荷。在规定的栅极-发射极电压VGE、开通前集电极-发射极电压VCE和开通后集电极电流条件下的典型值。
栅极电荷QG是将栅压驱动到特定工作电压时所需要的总电荷量。主要由三部分组成：
栅极-发射极电荷QGE：对栅-射电容CGE和栅极下方沟道电容充电的电荷，直到器件达到阈值电压Vth。
栅极-集电极电荷QGC：也称为米勒电荷，对栅-集电荷QGC充电的电荷，这个电容在开关过程中变化剧烈，这是影响开关速度的关键。
栅极电荷的剩余部分：在米勒平台后，将栅极电压继续充到最终目标电压所需的电荷。
这其中，QGC对开关损耗的影响最大。因栅极集合结构上的不同，沟槽栅IGBT比平面栅IGBT具有更高的栅极电荷。
这是因为，平面栅器件的CGC主要是由栅极与JFET区域上方的耗尽区形成的电容，这个区域相对较远，且可以通过调整JFET注入浓度来优化，从而优化CGC；而沟槽栅器件消除了JFET区域，其CGC主要是由栅极侧壁与漂移区之间形成的电容，这个距离非常近，且面积很大(因为沟槽具有深度)，导致其固有的CGC比平面栅器件更大。而且，沟槽栅覆盖了沟槽的侧壁和底部，总的栅氧面积更大；而平面栅的栅氧仅在顶部，面积相对较小。故而更大的栅氧面积意味着更大的栅氧电容，这就直接贡献了QG。
所以，对于沟槽栅IGBT，栅极电容CGE和充电电荷QG的值相对大一些，所以沟槽栅IGBT需要提高更大的驱动功率。
测试电路如下：
测试条件：确定环境温度Ta、管壳温度Tc或结温Tj、集电极电流IC、集电极-发射极电压VCE、初始时刻的栅极-发射极电压VGE0和达到规定驱动电压时刻的VGE1。
测试过程：
在栅极施加恒定电流IG至栅极-发射极VGE达到规定值时，监控初始时刻t0到栅极-发射极电压VGE达到设定的驱动电压时刻t1时的集电极-发射极电压VCE和栅极-发射极电压VGE，从而得到如下曲线：
故栅极电荷计算如下：
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