失效分析中的电测试是无损失效分析中最重要的步骤。对于半导体器件而言，器件的失效机理是失效分析中的重点关注。所以，与失效机理密切相关的测试（如漏电测试等）需要有比较深入的了解。
这里以Si基二极管为例，对二极管的正向导通压降VF、击穿电压BV、反向漏电IR等参数的测试，这些参数是失效分析中最关键的参数，这些参数的结果反映了流片工艺中的缺陷密切相关。
导通压降测试
当对理想PN结施加外加电压时会有电流流过，但是其电流与电压的关系是非线性的，外接正向电压时，如果电压达到了某个电压VF的值时（正向导通压降），则会有明显的电流流过，而且当电压再稍加增大时，电流就会陡增。反过来，如果通过电流源提供电流信号，电流从阳极流向阴极，电压表来采集二极管两端电压，这也就测试得到了某个应用条件下（电流值下）的二极管导通压降值，以此判断此器件该参数的异常情况。
像一些大功率的二极管，因长期工作在大电流条件下，会导致欧姆接触退化，会导致导通压降增大，最终器件可能会因功耗增大而烧毁，对于这种失效模式，可对其进行正向压降的测试，以此验证其是否发生退化，避免后续热失控烧毁。
反向漏电流测试
反向漏电测试则是在外加电压的情况下，二极管的阳极接低电位，阴极接高电位，此时二极管处于阻断状态，几乎没有电流流过。这种状态称为截止或偏向偏置，仍然会有微弱的反向电流流经二极管，称为反向漏电流。
这个反向漏电流数值越低，则表示二极管反向偏置的截止性能越好。这个数值还和温度有着密切的关系。对于P+N结，反向漏电IR的公式为：
其中Dp为N型衬底中的少子扩散系数，Lp为N型衬底中的少子扩散长度，Pn0为N型衬底中的平衡少子浓度。
反向漏电流的异常可能是由以下几个因素引起：
①表面玷污，导致表面的Si-SiO2界面产生陷阱电荷，从而起到了复合的作用，引起表面负荷电流增加。这个电流相当于在结上并联了一个电阻，在外界电压的作用下，电流主要不是通过PN结流动，而是直接以表明漏电流的方式逸出。
②衬底缺陷问题，如衬底点缺陷、位错、层错等等都会使得PN结特性改变。
击穿电压测试
击穿电压的测试则是在一般的反向电压下，PN结的反向电流很小，但当反向电压增大到一定一定值（BV）时，反向电流会突然变得很大，这个就是二极管的反向击穿。击穿电压存在一个突变的过程，在这附近，漏电流会有一个剧烈上升。
引起反向击穿的机理有：雪崩倍增、隧道效应和热击穿三种。其中，电击穿就是雪崩倍增和隧道效应，它们的特点是击穿是非破坏性的，在外界电压撤掉后二极管特性可以恢复。这个有一个前提，就是二极管处于恒定的温度下。
而热击穿则是破坏性的，因反向漏电流正相关于本征载流子浓度，而本征载流子浓度随结温的上升而迅速增加，所以反向漏电流具有正温度系数，结温的升高会使得漏电流增大，这就会在电流和结温之间形成了正反馈，结温升高使得电流增加，电流增加使得损耗增大，损耗增大又会使得结温升高，从而进一步导致电流又增大。这个过程不受控制的进行下去，最终就会导致二极管烧毁，这就是热击穿的过程。
热击穿的在BV测试中需要绝对避免，可以采用限制击穿电流来进行脉冲测试。
击穿电压的测试方法需要二极管处于反偏状态，二极管的阳极接低压端，阴极接高压端，步进式增加电压，测试得到相应漏电流，当漏电流增大到大于规定数值时，可认为这个点的电压就是器件的击穿电压。
二极管的击穿电压异常还包括低击穿、软击穿、分段击穿、击穿特性蠕变和双线击穿等：
①低压击穿异常是指，二极管的击穿电压低于规定值，这潜在的原因有衬底材料缺陷、外延层厚度不均匀、P区或N区掺杂不均匀等；
②软击穿则是指，二极管在反向偏压下，IV曲线没有明显的转折点，反向电流在电压较低时就开始逐渐增大。这个过程类似于漏电流逐渐增大的过程；
③分段击穿则是指局部作用下导致的击穿，表现为器件反向电压超过一定值时，反向漏电流随电压线性增加，而器件反向偏压增大到击穿电压BV时，器件又会呈现正常的雪崩击穿。这潜在原因有外延层中缺陷过多或PN结界面处不平坦；
④击穿蠕变则是，PN结的击穿特性不稳定，击穿电压测试每次结果差异较大。有随时间减小或增大。产生击穿蠕变的原因可能有二极管表面玷污，包括可动离子等，这些玷污会改变表面电场分布，继而导致击穿不稳定；
⑤双线击穿则是电压从0到BV时的击穿特性和电压由BV到0时的击穿特性不同，这种击穿表明PN结稳定性差，其原因也可能和可动离子玷污相关。
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