2025年11月12日，随着AI计算功耗的不断增长，碳化硅（SiC）逐渐成为AI数据中心电源供应单元的重要材料，主要用于交直流转换阶段。通过降低能耗、优化散热和提升功率密度，碳化硅打破了传统半导体材料的应用天花板，拓展了其在AI数据中心的市场潜力。
AI服务器在计算需求日益增长的背景下，功耗越来越高。为此，数据中心需要采用更高功率的供电架构，提高各环节的效能和功率密度。SiC、GaN等第三代半导体材料因其高击穿电场、高迁移率等特点，可以在更高温度和电压下工作，从而提升电力转换效率，降低能耗与成本。
目前，头部厂商正积极推动SiC/GaN在AI数据中心领域的应用，以满足高性能计算需求。东方证券指出，随着AI服务器和数据中心大功率供电需求的持续增长，SiC/GaN材料有望在未来得到更加广泛的应用，推动行业从传统硅材料向更高效能、更高功率的半导体技术过渡。
相关上市公司方面，天岳先进表示，其客户英飞凌和安森美已经成功进入英伟达等行业巨头的供应链，为AI算力基础设施提供支持，成为行业的重要组成部分。
三安光电则在碳化硅产业链上深耕，涵盖晶体生长、衬底制备、外延生长、芯片制程及封装测试等环节。其碳化硅产品已广泛应用于新能源汽车、光伏储能、充电桩及AI和数据中心服务器等多个领域，进一步拓展了第三代半导体材料的应用范围。
业内人士认为，随着AI数据中心和智能计算的持续发展，SiC/GaN在功率转换、散热和电源管理等方面的优势将进一步凸显，预计这些材料将在未来几年内成为行业标准，推动AI算力基础设施的持续升级。
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