IGBT的开关损耗随着栅极电阻的增大而增大：
相同门极电阻阻值，小电流的时候更容易震荡：
电阻越大，EMI效果越好。下图是最小栅极电阻的确定方法：
CLAMP是在IGBT关断时低电压锁定。
DESAT是电阻和二极管是检测IGBT导通压降的。其原理是里面的比较器进行比较输出的。
芯片里面集成了信号变压器，将驱动端和功率端进行隔离。
有一个问题，DESAT接的消隐电容220pF作用：当IGBT或MOSFET关断时，电压瞬态可能会导致误触发DESAT保护机制。220pF电容起到了低通滤波作用，抑制高频噪声，避免误检测。
IGBT芯片隔离的类型：光耦，电磁，电容进行隔离，如下图：
IGBT在正常工作的情况下，Vce电压是0.3V左右，当发生退饱和时候，Vce电压升高到5V或8V或9V
DSEAT进行退饱和检测，CLAMP进行软关断：
IGBT采用双电源的话，更加易于关断：
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