您好! 请登录 注册
Picture Show
搜索
Picture Show

       联系电话    

135 1009 9916

图片展示

碳化硅(SiC)器件在光伏逆变器与储能系统中的应用及产品介绍

2025-10-27 16:31:45

摘要

碳化硅(SiC)器件凭借其卓越的物理特性(高击穿电场、高导热率、高电子饱和漂移速度),在光伏逆变器和储能系统中展现出显著性能优势:提升转换效率(光伏逆变器最高可达99%,储能变流器可达99.3%)、提高功率密度、降低系统损耗(最高可达50%以上)和缩小体积重量。这不仅推动了光伏和储能系统向更高效、更紧凑、更可靠方向发展,也为其应对更高电压等级(如1500V光伏系统、800V电池平台)、提升电能质量和支持电网稳定提供了关键技术支撑。

图片来源:网络

光伏逆变器与储能系统概述

1.光伏逆变器

图片来源:网络

光伏逆变器是太阳能光伏发电系统的“心脏”和“大脑”。其核心作用是将光伏组件产生的直流电(DC)转换成符合电网要求的交流电(AC),并并网输送。此外,它还承担着最大功率点跟踪(MPPT)、电站监控、能源管理以及系统保护等多种功能。

核心特性:

高转换效率:直接影响系统的发电收益。目前先进水平已超99%

高可靠性:需能在户外恶劣环境下长期稳定运行,寿命通常要求10年以上。

电网友好性:具备低电压穿越、谐波抑制、无功补偿等功能,以支持电网稳定。

智能运维:集成数据采集、远程监控和智能诊断功能。

市场应用领域:

图片来源:网络

集中式逆变器:主要用于大型地面光伏电站,功率大,成本优。

组串式逆变器:适用于工商业分布式屋顶及复杂地形的大型地面电站,灵活性高,2021年占比约69.6%

微型逆变器:主要用于户用分布式系统,对每块组件进行独立MPPT控制,安全性和发电效率高。

2、储能系统(此处特指电化学储能系统)

图片来源:网络

储能系统,特别是电化学储能系统,是解决电力供需时空错配、提升能源系统稳定性、经济性和可持续性的关键设备。它通过储能变流器(PCS,PowerConversionSystem)进行交直流变换,实现电能的储存与释放。

核心特性:

双向能量控制:储能变流器是双向的,既能将交流电整流为直流电给电池充电,也能将电池的直流电逆变成交流电馈入电网或供负载使用。

多功能集成:需支持削峰填谷、频率调节、无功支持、备用电源等多种应用功能。

高循环效率:系统往返效率(RTE)是关键经济指标,先进系统可达93.5%

安全性与长寿命:确保电池系统安全运行,并具备长循环寿命和低衰减特性。

市场应用领域:

图片来源:网络

发电侧储能:配套新能源电站,平滑出力、减少弃光弃风、参与电网调频。

电网侧储能:作为独立共享储能,提供黑启动、调峰调频等辅助服务,提升电网灵活性和可靠性(如内蒙古2025年目标新增装机14.5GW/65GWh)。

用户侧储能:包括户用储能(家庭备用电源、自发自用)和工商业储能(利用峰谷价差套利、需求侧响应)。

下表概括了光伏逆变器和储能系统(侧重于储能变流器)的主要特点:

二、碳化硅器件的应用优势与应用案例

传统光伏逆变器和储能变流器通常采用硅基IGBT作为主要功率开关器件。然而,随着对系统效率、功率密度和成本要求的不断提高,硅基器件的性能瓶颈日益凸显。碳化硅(SiCMOSFET和肖特基二极管(SBD)的引入,为解决这些问题提供了理想方案。

1、碳化硅器件的应用优势

SiC器件应用于光伏逆变器和储能系统,能带来多重显著优势:

提升转换效率,降低能量损耗:SiC器件具有更低导通电阻和几乎为零的反向恢复电荷,能显著降低开关损耗和导通损耗。在光伏逆变器中,采用SiC器件可将转换效率提升至99%以上,特别是在高开关频率下,优势更为明显。对于储能系统,高效率意味着更高的系统往返效率(RTE),直接提升经济性,例如阳光电源的PowerTitan3.0AC智储平台采用全碳化硅PCS,最大效率达99.3%,系统综合RTE突破至93.5%

提高开关频率,提升功率密度:SiC器件允许工作在高得多的开关频率(可达数百kHz),这使得电感、电容、变压器等无源元件的体积和重量得以大幅减小。有助于实现逆变器和变流器设备的小型化、轻量化,提升功率密度,降低单位功率的成本和运输安装难度。

降低系统总成本:虽然SiC器件本身的成本在过去较高,但随着技术成熟和产能扩大(如12英寸衬底量产),其价格正迅速下降,部分产品价格已逼近甚至低于传统IGBT。更重要的是,SiC带来的系统级优势(无源元件和散热器减小、效率提升后冷却系统可能简化)使得整体系统成本在许多应用中已具备竞争力。

增强高温工作能力和可靠性:SiC材料具有更高的热导率和更高的工作结温(可达175°C甚至200°C以上)。这使得系统在高温环境下运行更可靠,热管理设计更简化,或者在同等散热条件下可以获得更大的输出功率。

更好支持高电压平台:SiC器件更高的击穿电场强度使其非常适合高压应用。在光伏领域,可以更好地支持1500V直流系统;在储能领域,则有助于发展2000V及以上的系统电压,例如上能电气发布了全球首批2000V400kW+组串式储能变流器,这有助于降低系统电流和线损,进一步提升效率和经济性。

2、应用案例

碳化硅器件在光伏逆变器和储能系统中的应用已广泛落地:

光伏逆变器领域:

图片来源:阳光电源

阳光电源:其光伏逆变器采用SiC器件,实现了99%的转换效率,并助力其全球市占率提升。

图片来源:固德威

固德威:在其SDT系列工商业光伏逆变器中引入碳化硅器件以降低损耗,并通过优化散热结构与降噪技术,将运行噪音控制在45分贝以下,解决了工商业屋顶电站的噪声痛点。

储能系统领域:

图片来源:阳光电源

阳光电源:其PowerTitan3.0AC智储平台采用全碳化硅PCS,最大效率达99.3%,系统综合RTE突破至93.5%,并实现了更高的能量密度。

图片来源:锦浪科技

锦浪科技:发布了50kW100kW230kW三相储能逆变器,采用碳化硅MOSFET和三电平拓扑,最大效率达98.7%,主要面向欧非拉的工商储场景。

图片来源上能电气

上能电气:发布了全球首批2000V400kW+组串式储能变流器,满载效率99.0%,已批量用于沙特PIF四期2.6GW光伏+储能项目。

图片来源:固德威

固德威:其ESA系列50kW/100kW三相储能逆变器量产,采用NPC-3拓扑+碳化硅混合模块,最大效率98.6%,已在共享储能电站试用。

碳化硅器件的应用与选型

1、光伏逆变器应用解决方案

爱仕特量产的MT4系列SiCMOSFETDT2系列SiC二极管和MEP系列SiC功率模块已批量应用于光伏逆变器。

光伏逆变器应用

2、储能系统应用解决方案

爱仕特量产的MT4系列SiCMOSFETDT2系列SiC二极管和MEPMEK6系列SiC功率模块已批量应用于储能系统。

储能系统应用

工商业储能PCS的两电平拓扑解决方案

应用优势:碳化硅两电平方案可实现更高耐压、更高开关频率,弥补了IGBT两电平的效率问题,大幅减少了开关器件的数量。

储能PCSSiC两电平拓扑方案

工商业储能PCS的三电平拓扑解决方案

应用优势:适用于中高功率工商业储能,需兼顾效率与电能质量的项目。

储能PCSSiC三电平拓扑方案

碳化硅器件的发展趋势

碳化硅技术在光伏和储能领域的应用仍在快速演进,未来发展值得关注以下几点:

1、成本持续下降与渗透率提升:

随着8英寸、12英寸SiC衬底的量产,SiC器件的成本将继续下降,预计未来SiC模块价格将比当前下降40%,与硅基IGBT的价差将进一步缩小。这将加速SiC器件在光伏和储能领域,特别是中大功率场景中的渗透率全面提升。

2、技术迭代与集成度提高:

器件结构从平面栅向沟槽栅发展(如英飞凌与天科合达合作开发12英寸沟槽栅SiCMOSFET),以进一步降低导通电阻和开关损耗。

封装技术不断创新,采用双面散热、银烧结、铜线键合等先进工艺,提升模块的功率密度、散热能力和可靠性。

向更高的电压等级(如3300V及以上)和更大的电流能力发展,以满足特高压直流输电、大容量储能等应用需求。

3、产业链完善与国产化替代:

中国SiC产业正在快速崛起,在衬底、外延、器件设计、制造和模块封装等环节都取得了显著进展。国内企业如天岳先进(衬底)、天科合达(衬底)、三安光电(器件)、爱仕特(器件+模块)等正逐步扩大市场份额。预计未来中国将在全球SiC供应链中占据更重要地位。

4、新材料与新技术的挑战与融合:

虽然SiC是当前的主流选择,但其他宽禁带半导体材料如氧化镓(Ga₂O₃)也在发展。氧化镓衬底成本可能仅为SiC1/3,若其在1200V以下市场取得突破,可能会对SiC在中低压应用(如部分光伏逆变器、储能系统的辅助电源)形成竞争。SiC与其他技术的融合,如与构网型(Grid-Forming)技术结合,提升储能系统对弱电网的支持能力,也是一个重要方向。

给开发应用工程师的建议

如果您在光伏逆变器或储能系统设计中考虑采用碳化硅器件,以下几点值得关注:

精准的栅极驱动设计:SiCMOSFET通常需要更快的驱动速度和适当的门极负压关断(如-3Vto-5V)以防止误导通。选择传输延迟短、共模抑制比(CMRR)高的专用SiC驱动芯片或驱动模块是关键。

精心布局以控制寄生参数:极高的dv/dtdi/dt意味着布局必须优化以最小化寄生电感和电容。采用紧凑、对称的布局,特别是功率环路和驱动环路。

热管理优化:尽管SiC效率高且耐高温,但仍需高效的散热设计(如液冷)和准确的结温监测,以确保可靠性并充分利用其性能。

EMI/EMC的考量:更快的开关速度可能带来电磁干扰(EMI)挑战。需要在设计初期就考虑屏蔽、滤波和接地策略。

系统级成本与性能权衡:进行系统级的成本分析,综合考虑因效率提升、无源元件和散热器减小等带来的综合成本效益,而不仅仅是比较器件单价。

总结

碳化硅(SiC)器件凭借其优异的物理特性和不断下降的成本,正在为光伏逆变器和储能系统带来显著的性能提升:更高的转换效率、更高的功率密度、更低的系统损耗和更强的可靠性。这不仅推动了光伏和储能技术本身的进步,也为构建更高效、更灵活、更稳定的新型电力系统提供了关键技术支持。

随着材料制备、器件设计和封装技术的不断进步,以及产业链的日益成熟,SiC在光伏和储能领域的应用前景将更加广阔。对于您这样的电力电子工程师而言,深入了解并掌握SiC器件的应用技术,无疑是保持技术领先性和产品竞争力的关键一环。

如您对我们的产品感兴趣,欢迎联系

我们将为您提供高效、贴心的解决方案!

咨询电话135  1009  9916(微信同号)

↓ ↓ 点击图片免费领取产品规格书    

      


想深入了解碳化硅功率器件产品知识?点击→「碳化硅(SiC)课堂」获取详情!

作者: 深圳市亿伟世科技有限公司
0
碳化硅(SiC)器件在光伏逆变器与储能系统中的应用及产品介绍
摘要碳化硅(SiC)器件凭借其卓越的物理特性(高击穿电场、高导热率、高电子饱和漂移速度),在光伏逆变器和储能系统中展现出显著性能优势:提升转换效率(光伏逆变器最
长按图片保存/分享

 技术学院


IGBT 课堂

SIC 课堂
工程师家园

 

产品中心

碳化硅器件

    IGBT

超洁 MOS

东芝隔离器

 

 

 

码上关注

     码上关注

码上联系

Picture Show
Picture Show

联系电话

135 1009 9916

 (微信同号)

添加微信好友,详细了解产品
使用企业微信
“扫一扫”加入群聊
复制成功!
添加微信好友,详细了解产品
我知道了
粤ICP备2022009448号