功率芯片设计到两种键合技术-内部键合和外部键合。内部键合是指在芯片侧的电气连接；外部键合是指器件和环境之间的电气连接。
根据功率半导体芯片的类型，像IGBT和功率MOSFET都至少有三个接触点：栅极、发射极/源极、集电极/漏极，有些还有集成芯片上温度测量或电流测量功能的需求，所以还可能会需要更多连接端子。
功率半导体芯片内部连接采用键合工艺，而外部连接采用焊接工艺。
内部电气连接
1、芯片焊接
在标准的功率芯片模块中，功率芯片背部金属通过焊接工艺焊接到DBC上，焊接炉中需要真空环境，用以防止芯片和DBC之间形成气泡空洞等。这些气泡空洞会导致接触不足，增加模块热阻，从而导致功率模块损坏。因目前的规范限制，现在大多数制造商都会使用无铅焊料。
2、系统焊接
系统焊接则是把DBC连接到底板上，如下图所示。底板的材料通常是氮化铝或氧化铝，则根据材料不同，焊接工艺自然也会不同。最常用的氧化铝焊料就是无铅的，但是焊接Cu或SiC的Al基板与氮化铝DBC衬底的焊料大多数都是含铅的。同样，DBC衬底和底板之间的焊料充分浸润也是非常关键的。正如芯片焊接一样，气泡空洞会增加热阻，这会导致功率模块过早老化甚至直接失效。
3、超声焊接
几乎所有的功率芯片上的引线键合技术工艺都会采用超声键合。对于IGBT功率模块，40-100kHz的超声波微焊工艺适用于Al线和芯片Pad的焊接。超声波可以消除金属层上的氧化层，使得焊接线牢固地附着在芯片表面地金属上，这样也可以降低器件地热应力。
目前存在两种不同的超声焊接工艺：细线键合和粗线键合。
铜线键合技术是目前一种新的焊接工艺，但是剪切工艺有所不同，这是因为Cu线质地较硬，所以不能像Al线键合一样剪切Cu线。
Al线键合
因为与Cu线、Au线相比，Al线质地较软、应力较小、成本低、导电性良好，故而在功率模块封装电极互连技术中得到了广泛应用。Al线的直径越大，通流能力越强，但是键合相关的工艺参数值也会越大，会对功率芯片带来潜在的损害。
Al线键合的键合界面可以是芯片表面金属Al或DBC中金属Cu层，也可以是电极端子表面上键合。
Al线键合的质量要求是：Al线键合Bonding表面应当光亮、平滑，形变的横向尺寸（键合点宽度）应当控制Al线之间的3/2~5/3，相邻Bongding之间需要保留一定距离。
目前，对Al线键合工艺的可靠性一般都采用破坏性的抽样检测，测试项目则是拉力和剪切力测试。
拉力测试是将拉钩从Al线下面中间位置以一定速度向上拉动直至Al线被破坏，传感器会感知和保留拉钩承受的最大拉力值，即拉力测试数值。拉力测试的合格标准是被拉的Al线从中间断开，拉力值大于规范值。如果Al线键合Bonding脱落或拉力值偏小等都会被判定不合格。
剪切力测试则是将推刀沿着键合表面以一定速度推Al线键合Bonding直至脱落，传感器会感知和保留推刀承受的最大阻力值即剪切力测试数值。剪切力测试的合格标准是剪切力值大于规范值。
影响Al线键合质量的因素主要是：压力、功率、时间和界面状态。
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