IGBT动态特性：开通特性解读对器件的动态特性有一个简要的概括。对于IGBT关断过程就是，当栅极-发射极VGE再次小于阈值电压Vth时，器件开始了关断状态，集电极-发射极两端电压逐渐增大，受电路中寄生电感的影响，会出现电压尖峰，同时集电极电流IC逐渐减小到0，器件又恢复到正向阻断状态。
IGBT关断过程
状态6：IC=IL，VGE=VGEon，VCE=VCEsat，n-漂移区内充满了空穴和电子
阶段Ⅵ：栅压开始从设定驱动电压下降到米勒平台电压，因栅压仍大于阈值电压，器件仍处于导通，所以这个阶段集电极电流IC不变化；
状态7：IC=IL，n-漂移区内仍充满电荷
阶段Ⅶ：米勒平台阶段，栅压基本保持不变，集电极电流也保持不变，但是CE两端电压从饱和压降VCEsat逐渐上升到母线电压；栅极-集电极电容开始放电，CGC的栅电荷为0时，耗尽层开始建立，耗尽层开始扩展；
状态8：续流二极管开始导通，集电极电流IC开始下降，栅压VGE开始下降
阶段Ⅷ：这个阶段，因电路中寄生电感的影响，会出现电压尖峰，然后CE两端电压会再次稳定在母线电压，沟道彻底关断，耗尽区电荷清除完毕，只剩漂移区电荷。电流开始拖尾；
状态9：器件开始抽取n-漂移区内的少子，集电极电流IC开始拖尾状态
阶段Ⅸ：漂移区电荷抽取，IC处于电流拖尾阶段，电子-空穴对数量逐渐减小。
状态10：漂移区内少子基本抽取完毕，集电极电流IC拖尾结束，趋近于0，器件完全截止，处于正向阻断状态
关断特征参数
如下图所示，当VGE突然变成负压时，导电沟道消失，IC突然下降，即首先减少的是电子电流，此时空穴电流并未突然停止，它是由注入到漂移区内的少子来维持，所以集电极电流IC继续存在。
随着复合继续进行，非平衡载流子持续减少，直到集电极电流IC衰减至0，可见IGBT的关断可分为两个过程：沟道电流消失过程、少子复合消失过程，这所对应也就是关断延迟时间td(off)和电流下降时间tf，IGBT的关断时间就是关断延迟时间和电流下降时间之和，即toff=td(off)+tf
关断延迟时间td(off)定义为从VGE下降到0.9VGEmax时到IC下降至0.9ICmax，这个过程的时间；
电流下降时间tf则定义为从集电极电流IC下降到0.9ICmax时到IC下降至0.1ICmax时，这个过程的时间。
下降时间tf又可以分为两个阶段tf1和tf2，tf1时IGBT内部沟道关断过程，IC下降比较快；tf2则是IGBT内部pnp晶体管的关断过程，IC下降比较慢。
一般将IC从0.1ICmax时下降到0.02ICmax时所经历的时间定义为尾部时间ttail。因为n-漂移区内大量少子复合消失使得电流拖尾比较长，所以实际关断时间比较长，工程上一般不将这段时间计入关断时间。
由于IGBT关断时，因续流回路中的杂散电感的作用，集电极-发射极两端电压会出现电压过冲ΔVCE，则集电极-发射极两端最大电压VCEpeak可表示为：
IGBT关断过程的能耗Eoff：
总结
IGBT器件关断过程具有以下几个特点：
1、VCE上升到母线电压VDC时，集电极电流IC开始急剧下降；
2、器件关断过程存在一个比较大的电压过程，这个与电路中的杂散电感造成的回路电流变化率dI/dt有关；
3、集电极电流IC的最后存在一个非常缓慢的拖尾过程。
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