日前，湖北九峰山实验室（JFSLab）宣布推出两款SiCTrenchMOSFET器件样品，该样品的研发主要是针对产业界及科研机构等对具有完全国产自主的知识产权的沟槽型SiCMOSFET器件的测试、分析及应用探究的需求。JFSLba的这个新的研究成果为推动下一代SiC沟槽型MOSFET器件产业完全国产自主研发做出了重大贡献。
1、SiC胶囊型沟槽MOSFET样品
此样品基于JFSLab完全自主知识产权的SiCTrenchMOSFET结构，结合终端优化设计，可提供高可靠性的器件样品。相关核心专利有：CN114883412A、CN114141627A等。
可为有需要的客户提供BV≥1400V，Rdson=60~80mΩ，BareDie有源区面积约在3.35*3.35mm2，或者TO-2473pin封装的器件，可接受定制化开发。
2、两侧深掩埋沟槽呈周期性分布的SiCMOSFET样品
基于JFSLab完全自主知识产权的SiC双侧深掩埋沟槽的MOSFET结构样品，目前已经通过了HTGB、H3TRB、HTRB等可靠性试验，其核心专利包括：CN119997569A、CN119342864B等。
可为客户提供BV≥1400V，Rdson=20~80mΩ，Rdson,sp≈2~2.24mΩ·cm2，BareDie有源区面积约在3.35*3.35mm2和TO-2473pin封装的器件，接受定制化开发。
如果您有样品申请或者技术支持等需求
我们将为您提供高效、贴心的解决方案！
欢迎电话咨询：135 1009 9916（微信同号）
↓ ↓ 点击图片免费领取产品规格书 ↓ ↓
想深入了解碳化硅功率器件产品知识？点击→「碳化硅（SiC）课堂」获取详情！
