一、定义
IGSS是指MOSFET在漏-源极短接，栅-源极之间施加一定电压VGS时，栅源之间流过的泄漏电流。
在理想情况下，MOSFET的栅极与源极之间是绝缘的（由栅氧及BPSG等介质阻隔），不应该有电流通过，但是由于实际制造工艺质量、缺陷等因素，还是会有极小的电流从栅极流到源极，正常情况为nA级。
二、测试方法
1、规定温度下，将漏极（D）与源极（S）短接；
2、在栅极（G）与源极（S）之间加指定电压VGS（一般为器件额定栅极电压）;
3、测试栅极（G）与源极（S）之间电流即为IGSS；
如下图：
功率MOSFET的栅源间漏电，除了测试IGSS外还测试ISGS，测试方法相同，栅-源极间加反压，电流方向与IGSS相反。可更全面评估MOSFET的栅-源极间的绝缘性能，排除潜在失效风险。
三、常见失效原因
正常情况下，MOSFET的IGSS很小，一般在nA级（通常＜100nA）；出现IGSS异常的芯粒，电流值会达到μA甚至mA级。常见的失效原因有以下几种：
1、多晶栅与体Si之间的漏电
如上图，多晶栅与体Si之间主要由栅氧隔绝，两者之间出现漏电异常，主要就是栅氧层绝缘性能遭到破坏导致。影响栅氧绝缘性能的因素有：栅氧工艺、多晶刻蚀、多晶质量及过程颗粒等。
2、多晶栅与源极金属之间的漏电
如上图，多晶栅与源极金属主要由BPSG等绝缘介质隔绝，两者之间出现漏电异常，主要是介质绝缘性能遭到破坏导致。影响其绝缘性能的因素有：介质厚度、接触孔套刻偏差、孔湿法腐蚀横向钻蚀及封装打线损伤等。
3、栅极金属与源极金属之间的漏电
栅极金属与源极金属，由金属刻蚀刻开区分离；导致其未完全分离的因素有：金属刻蚀不净、光刻胶残留及金属淀积形貌差等
如何通过电参数简单判断IGSS失效原因？
IGSS失效时，若BVDSS、IDSS等参数正常，一般为源极金属与多晶栅、或源极金属与栅极金属之间漏电导致；若是BVDSS、IDSS等参数也异常，一般为多晶栅与体Si之间漏电导致。
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