什么是MOSFET的电容特性曲线？
电容为什么随VDS电压变化？
电容大小对MOSFET性能有什么影响？
什么是MOSFET的电容特性曲线？
MOSFET的电容特性曲线通常是指在栅源电压（VGS）为0V，频率为1MHz条件下，电容（Ciss、Crss、Coss）随漏-源电压（VDS）的变化曲线，如下图。
Ciss（输入电容）
栅极为输入端，指的是栅极与其余两极（漏极、源极）之间的电容，Cgs与Cgd两个电容并联，即：Ciss=Cgs+Cgd
Coss（输出电容）
漏极为输出端，指的是漏极与其余两极（栅极、源极）之间的电容，Cds与Cgd两个电容并联，即：Coss=Cds+Cgd
Crss（反向传输电容）
输入与输出端之间的电容，指的是源极接地，栅极与漏极之间的电容。即：Crss=Cgd
MOSFET产品说明书中，一般都会有一组指定VDS电压下的Ciss、Crss、Coss电容典型值。
电容为什么随VDS电压变化？
MOSFET结构中存在多个电容：Cn、Co、Cp、Cgd、Cj及Cds。
Cj和Cds为PN结电容与漏源电压VDS有关，PN结电容的耗尽层上下两边界，相当于电容的两个电极；耗尽层宽度相当于两个电极之间的距离。当漏源电压VDS升高时，会使耗尽层宽度增加，相当于增加了两个电极之间的距离（d），导致电容减小。
栅-源极间电容Cgs
栅极多晶与金属、P-及N+构成的Co、Cp、Cn三个电容并联而成Cgs=Cn+Co+Cp，基本不随VDS电压变化。
漏-源极间电容Cds
N-漂移区和P-体区形成的PN结耗尽层电容，随VDS电压升高而减小。
栅-漏极间电容Cgd
栅极多晶与JFET区构成的电容和随着漏-源电压（VDS）变化的耗尽层电容构成，随VDS电压升高而降低。
如上所述， 随着漏源电压VDS升高，Cgd和Cds电容逐渐降低，Cgs电容不变 ；因此，在MOSFET电容特性曲线上Coss、Crss电容随VDS升高变化幅度较大，Ciss电容变化幅度较小。
电容大小对MOSFET性能有什么影响？
对开关速度的影响
Ciss和Crss电容对开关速度影响较大，Coss影响较小。Ciss越大，充放电时间越长，开关速度越慢；Crss越大，米勒效应越明显，开关速度越慢。
对开关损耗的影响
Ciss越大，需要更多的能量来充电，开通损耗越大；Coss越大，存储的能量更多，关断损耗越大；Crss越大，开通损耗和关断损耗都会增加。
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