盛美上海Ultra ECDP电化学去镀设备
用于化合物半导体金蚀刻工艺
盛美半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“盛美上海”）（科创板股票代码：688082），作为一家为半导体前道和先进晶圆级封装应用提供晶圆工艺解决方案的卓越供应商，于今日宣布推出首款专为宽禁带化合物半导体制造而设计的Ultra ECDP电化学去镀设备。该新设备专为在晶圆图形区域外进行电化学晶圆级金（Au）蚀刻而设计，可实现更高的均匀性、更小的侧蚀和增强的金线外观。
Ultra ECDP设备提供专业化工艺，包括金凸块去除、薄膜金蚀刻及深孔金去镀，并配备集成的预湿和清洗腔体。其具备精确的化学液循环和先进的多阳极电化学去镀技术，该系统实现了最小化的侧向蚀刻、优异的表面光洁度以及所有图形特征的卓越均匀性。
盛美上海总经理王坚表示：“受到电动汽车、5G/6G通信、射频和人工智能应用等领域的强劲需求推动，化合物半导体市场持续增长。金因具有高导电性、耐腐蚀性和延展性，正成为这些器件的优势材料，但也带来了蚀刻和电镀方面的挑战。我们的新型Ultra ECDP设备克服了这些障碍，提供可靠的生产就绪型解决方案，帮助客户实现高性能成果。这是我们如何通过创新应对客户挑战的又一例证。”
Ultra ECDP专为满足化合物半导体制造不断发展的要求而设计，可适应不同衬底（包括碳化硅（SiC）、砷化镓（GaAs）和磷酸锂（Li₃PO₄））等的独特物理特性 - 如重量、应力和厚度。采用模块化设计的Ultra ECDP具有灵活性，可在单一平台内集成电镀和去镀工艺，并利用多阳极技术控制不同区域的去镀过程。此外，Ultra ECDP还提供水平全表面去镀方式，以防止加工过程中的交叉污染。
Ultra ECDP系统为高精度金凸块、薄膜和深孔去镀提供卓越的均匀性和最小化的侧蚀。
Ultra ECDP设备兼容6英寸和8英寸平台，支持150毫米（mm）、159mm和200mm晶圆尺寸。该系统可配置两个开放式片盒和一个真空机械臂，为各种制造环境提供适应性。
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