MOSFET在电路中的开通过程是怎样的？
为什么米勒平台期间VGS电压不变？
一、MOSFET开关电路
功率MOSFET在电路中常作为功率开关用于能源转换及管理，其开关特性由栅驱动电路及外部负载决定，通常用于感性负载的内部电流控制。下图为在感性负载电路中工作的功率MOSFET器件。
通过驱动电路对栅极G的控制实现MOSFET器件开关，在每个工作周期（开通与关断）负载电流IL分别在功率MOSFET器件及续流二极管间转换。
当功率MOSFET器件开启时电感充电（其上电流增加）IL流过MOSFET，关断时由于电感电流不能突变，负载电感（相当于电流源）放电电流流进二极管续流。由于一个周期内电感电流变化很小，可假定电流IL为恒定。
二、开通过程
开通瞬态过程主要分为4个阶段，随着驱动电流iG的施加时间其栅源电压VGS、漏源电压VDS、栅漏电压VGD及漏极电流ID变化过程如下图所示：
第一阶段（t0-t1）
VGS：栅极驱动电流主要对CGS电容充电，栅源间电压VGS上升，上升到阈值电压VTH时该阶段结束。
ID：该阶段VGS电压未达到阈值电压（VTH），MOSFET工作在截止区，ID≈0A。
VDS：MOSFET工作在截止区（关断状态），电阻趋近于无穷大，母线电压全部降落在MOSFET上，VDS等于母线电压VDD。
VGD：栅极电位低于漏极电位，栅漏电压VGD为负，VGD=VGS-VDS，该阶段VGD绝对值随VGS的升高逐渐降低。
第二阶段（t1-t2）
VGS：栅极驱动电流持续对CGS电容充电，栅源间电压VGS继续上升。
ID：该阶段VGS＞VTH沟道开启，器件工作在恒流区，ID电流随VGS升高线性升高（受跨导gfs影响），当ID电流升高到感性负载电流IL时该阶段结束（受负载影响）。
VDS：由于负载为感性，在MOSFET开启后，有一个电感电流IL的电流路径从续流二极管转换为MOSFET的过程，在这个转换过程中漏源电压VDS被续流二极管钳位（VDS=VDD+二极管压降），因此该阶段VDS电压不变（二极管正向压降很小可以忽略）。
若是负载是阻性的，这个阶段VDS会正常随ID电流的升高逐渐降低。
VGD：VDS电压被钳位，VGD=VGS-VDS，该阶段VGD绝对值随VGS的升高逐渐降低。
第三阶段（t2-t3）
VGS：该阶段栅极驱动电流持续对米勒电容CGD充电，不在对CGS电容充电，栅源间电压VGS不变。
ID：器件工作在恒流区VGS不变，电感电流全部流过MOSFET，ID=IL电流。
VDS：负载及续流二极管开始承受耐压，VDS线性减小，直至VDS接近于0时该阶段结束。
VGD：VGD=VGS-VDS，VDS电压线性降低，VGS不变，该阶段VGD绝对值随VDS的降低先降低后升高，最后VGD=VGS。
米勒平台形成原因？
VGD电压快速变化，会在CGD电容D端产生很大的dv/dt，在栅极形成感应电流：
ICGD=CGD×dv/dt
CGD电容将驱动电流全部抽取过去，用来抵消CGD电容所存储的电荷，这时CGS电容几乎没有电流流入，VGS电压也就不变，形成米勒平台区；米勒平台期间VDS及ID都较大，因此该期间开关损耗也就较大。
第四阶段（t3-t4）
VGS：该阶段栅极驱动电流对米勒电容CGD和CGS电容一起充电（也就是Ciss），栅源间电压VGS开始上升，因为充电电容变大所以相比于第一阶段VGS上升斜率小。
ID：器件工作在可变电阻区，受感性负载影响ID电流基本维持不变。
VDS：维持接近于0V。
VGD：VGD=VGS-VDS，VDS=0V，VGD=VGS，该阶段VGD与VGS曲线重合，一同上升。
在MOSFET输出特性曲线上的开通过程（截止区→线性区）
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