2025年9月12日，氮矽科技携多款氮化镓新品惊艳出席于深圳前海国际会议中心举办的2025（秋季）亚洲充电展，全方位展示了其在氮化镓领域的最新研发成果，吸引了众多权威专家与行业观众到访交流，成为展会焦点。
DX65TC030是氮矽科技推出新一代高性能E-mode氮化镓晶体管，采用TOLT封装。其优势在于极低的开关损耗、低导通电阻和卓越的反向恢复性能，能大幅提升系统效率并减少热损耗。是数据中心电源、AC-DC转换器、PFC电路、逆变器及Class-D音频放大器的理想选择。 DX65TA030是氮矽科技推出全一款650V/30mΩ的增强型硅基氮化镓晶体管，采用TOLL封装。具备开尔文源极连接，抗干扰能力强，符合工业标准，可靠性高，旨在实现高功率密度设计。 超高速单通道氮化镓驱动器DX1003K DX1003K是氮矽科技新推出的专为E-Mode GaN HEMT设计的超高速驱动器。0.6ns/0.8ns 超快速的上升/下降时间，2.42ns/2.7ns 超低的开通/关断传播延迟时间，可显著降低系统响应时间。支持独立拉灌输出，用户可外部调节开关速度。集成欠压锁定(UVLO)和过温保护(OTP)功能，确保系统可靠运行。适用于激光雷达(LiDAR)、ToF激光驱动器、3D面部识别、快速阶跃电源及各类DC/DC转换器。 内置 LDO单侧高速氮化镓驱动器DX1011A1 DX1011A1是氮矽科技推出的一款针对E-Mode GaN HEMT的，内置 5V LDO的单侧高速栅极驱动器。5.5~20V宽范围Vin，独立拉灌1.4/4A）, 纳秒级上升/下降时间,低 开通关断传播延迟，集成欠压锁定(UVLO)和过温保护(OTP)功能，其封装设计能最小化寄生电感，减少振铃，适合高频应用。 DX1012A1是氮矽科技推出的5.5V~15.5V宽范围输入，驱动输出可调的单侧高速驱动器，可根据E-Mode GaN HEMT及 Cascode GaN transistor 要求调整栅压，独立拉灌电流1.4/4.2A ，抗密勒误开启能力强。采用双输出配置可独立调节开启和关闭速度，并集成了可定制栅极电压的LDO，具有欠压锁定(UVLO)和过温保护(OTP)功能，兼容CMOS逻辑输入，应用灵活。
氮矽科技，一家深耕于氮化镓产品的行业佼佼者，始终保持着在激烈市场竞争中的领先地位。在本次盛会上，氮矽科技全面展示了其产品矩阵，包括100V至700V的氮化镓晶体管、专用驱动器以及集成模块等多元化产品系列。同时，公司还重点展出了其在快充、电源适配器、锂电池管理等领域的尖端应用解决方案，以其卓越的性能和创新技术吸引了大量观众驻足咨询与深入交流。
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