近日，中国科学院微电子研究所研究人员基于自主研发的垂直沟道技术，研发出优于互补场效晶体管架构（CFET）的单片集成互补垂直沟道晶体管结构（CVFET）。
该架构制造工艺采用与CMOS制造工艺兼容的双侧面技术，通过两步外延工艺分别控制纳米片沟道厚度和栅极长度，实现n型和p型纳米片晶体管的上下堆叠和自对准一体集成。CVFET具有如下电学特性：上下层器件亚阈值摆幅分别为69 mV/dec和72 mV/dec，漏致势垒降低分别为12 mV/V和18 mV/V，电流开关比分别为3.1×106和5.4×106。CVFET的CMOS反相器可实现正常的信号相位反转功能，在1.2 V电源电压下，反相器增益为13 V/V；在0.8 V工作电压下，高电平噪声容限和低电平噪声容限分别为0.343 V和0.245 V。
相关研究成果发表在IEEE Electron Device Letters上。研究工作得到国家自然科学基金和中国科学院战略性先导专项（A类）等的支持。
(a) 单片集成CVFET器件架构图； (b)单片集成CVFET器件的TEM截面图和（c-f）EDX元素分布图
如您对我们的产品感兴趣，欢迎联系咨询电话：135 1009 9916（微信同号）
想了解更多关于碳化硅功率器件产品知识 请查看碳化硅课堂
