超结MOS与传统VDMOS电容特性曲线差异？
超结MOS电容变化原理
为什么超结MOS电容比传统VDMOS电容小？
超结MOS与传统VDMOS电容特性曲线差异？
功率MOSFET的输出电容（Coss）及反向传输电容（Crss）会随着外加电压VDS 的变化而变化，表现出明显非线性的特性，超结MOS因其独特的结构，电容特性曲线与传统VDMOS也会有明显差异（如下图）。
如上图，当VDS电压刚开始升高时，超结MOS的输出电容（Coss）及反向传输电容（Crss）会急剧下降；电压继续升高Coss逐渐趋于平稳、Crss逐渐升高后趋于平稳。
超结MOS电容变化原理
将超结MOS电容特性曲线分成两段（如下图）。
在V0~V1段
随VDS电压上升，超结MOS横向电场会先产生耗尽层（空间电荷区），N型漂移层（N柱） 两侧的耗尽层边界会逐渐向中心移动（如下图）。VDS电压继续升高，两侧耗尽层会接触碰到一起，然后继续向下移动，直到超结P/N柱完全耗尽（过程如下图）。
在耗尽层向下移动的过程中，可以理解为栅漏电容Cgd两极间距离增大，导致电容Cgd降低；漏源电容Cds两极面积减小同时距离增大，导致Cds减小，P/N柱完全耗尽时两电容降到最低。而P/N柱在低VDS电压下就能完全耗尽，因此输出电容Coss和反向传输电容Crss在VDS刚开始升高（V0~V1段）时，会有一段急剧下降的过程。
在V1~V2段
P/N柱此时已经完全耗尽，VDS电压继续上升，耗尽层开始向P-体内移动（如下图）。
在耗尽层向P-体内移动的过程中，可以理解为栅漏电容Cgd两极正对面积增大，导致电容Cgd升高，因此反向传输电容Crss会有一段升高的过程，后续随VDS升高耗尽区变化不大Crss、Coss趋于不变。
为什么超结MOS电容比传统VDMOS电容小？
相同规格的芯片，超结MOS相比于传统VDMOS芯片面积可以做得更小，也就减小了各极间寄生电容。
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