MOS管烧毁，我相信90%以上的硬件工程师在职场生涯中都会遇到这类问题。然而这类问题也总是让人防不胜防。那么今天就给大家讲解一下MOS管烧毁的几个常见原因。
在讲解前，小白给大家画一下MOS管的等效模型(以我最熟悉的N-MOS管举例)。
给大家介绍几个必须掌握的名词
VDSS:漏极于源极之间所施加的最大电压值。
VGSS:栅极与源极之间所能施加的最大电压值。
IDC:漏极允许通过的最大直流电流值。
Tch:MOS管的沟道的上限温度
热阻：表示热传导的难易程度，热阻值越小，散热性能越好。
IDSS:漏极与源极之间的漏电流。VGS=0时，D与S之间加VDSS
IGSS:栅极与源极之间的漏电流。VDS=0时，G与S之间加VGSS。
RDS(on)：漏极/源极间的导通阻抗。MOS管处于导通状态下的阻抗。导通阻抗越大，则开启时损耗越大。因此此参与尽量要小些。 RDS(on)=VDS/ID。
MOD管烧毁的原因主要有以下四种
过压：VDS，VGS过大，没有严格按照规格式设计,超过了其本身的额定电压，并且达到击穿电压。
过流：持续大电流或者瞬间大电流，超过了MOS所能承受的最大值。
静电：MOS管属于ESD敏感器件。本身输入阻抗很高，加之还有结电容，因此在外界有电磁场或者静电干扰的话，会积累电荷。当电荷积累到一定程度后，电压升高会导致管子损坏。同时在静电较强的场合难以泄放静电，易击穿。电压瞬间升高会带来短暂的大电流，MOS发热的发热量来不及散热就被击穿烧坏。
发热损坏：由于超过SOA安全区域引起的发热而导致的。其中发热的原因主要分为直流功率与瞬态功率。
直流功率原因：导通电阻RDS(on)损耗（高温时该阻值会增大，导致在一定的电流下，产生过高的热量）
由漏电流IDSS引起的功耗瞬态功率原因：负载出现短路。
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