近日，长光华芯发布2025年半年报。上半年，公司实现营业收入2.14亿元，同比大幅增长68.08%；归母净利润达897.45万元，成功实现扭亏为盈，去年同期为亏损4248万元；扣非归母净利润虽仍为负，但亏损幅度大幅收窄，从去年同期的-7272万元减少至-1145.43万元。
长光华芯始终专注于半导体激光芯片的研发、设计及制造，产品涵盖高功率单管、高功率巴条、高效率VCSEL及光通信芯片等多个系列。通过紧跟下游市场趋势，公司不断推陈出新，优化生产工艺，布局生产线，形成了由半导体激光芯片、器件、模块及直接半导体激光器构成的完整产品矩阵，成为半导体激光行业的垂直产业链公司。其产品应用广泛，涉及光纤激光器、固体激光器、激光智能制造装备、医学美容、激光雷达等众多领域。
在研发与产业化方面，长光华芯成绩卓著。公司建成了覆盖芯片设计、外延生长、晶圆处理工艺（光刻）、解理/镀膜、封装测试、光纤耦合等IDM全流程工艺平台，以及2吋、3吋、6吋量产线，突破一系列关键技术，成为少数能够研发和量产高功率半导体激光芯片的公司之一。同时，依托高功率半导体激光芯片的技术优势，公司横向拓展建立了高效率VCSEL激光芯片和高速光通信芯片两大产品平台，纵向延伸开发器件、模块及终端直接半导体激光器，上下游协同发展，综合实力逐步提升。
技术创新，引领高功率激光芯片发展
高功率半导体激光芯片领域，长光华芯持续引领技术创新。公司超高功率单管芯片在结构设计与研制技术上取得突破，双结单管芯片创室温连续功率超132W的新纪录（芯片条宽500μm，工作效率62%），打破此前行业最高水平，开启百瓦级单管芯片新纪元。在高功率和窄谱宽激光器方面，公司攻克光栅设计和材料生长等技术难点，开发的780nm宽条分布反馈（DFB）激光器室温连续输出功率超10W，创下780nm波段DFB激光器最高记录。
公司推出的9XXnm 50W高功率半导体激光芯片，在330μm发光区内产生50W激光输出，光电转化效率高（≥62%），已实现大批量生产出货，是目前市场上量产功率最高的半导体激光芯片。此外，公司不断提升9XXnm光纤激光器泵浦源和8XXnm固体激光器泵浦源功率，降低单瓦材料成本。在特殊波长应用方面，推出的激光除草应用1470nm 300W光纤输出半导体模块、面部痤疮治疗应用1726nm波长锁定100W光纤输出半导体模块已对外送样，进一步拓展了半导体激光器的应用领域。
VCSEL技术领域，长光华芯同样取得突破性进展。公司攻克低损耗多结VCSEL结构技术，将面发射芯片效率提升至74%，打破近20年VCSEL效率发展停滞局面，改变人们对VCSEL效率的固有认知。公司构建的多结VCSEL模式分析模型，解决了单模功率难以突破的难题，在直流驱动下实现20.2mW的单基横模激光输出，功率转换效率42%，刷新单模VCSEL功率效率世界纪录。
公司的VCSEL芯片应用广泛，在消费电子领域，主要用于手机、AR/VR等终端的3D传感；在光通信领域，应用于短距离传输的数据中心；在车载激光雷达芯片方面，已通过车规IATF16949和AECQ认证。此外，公司还积极布局车载EEL边发射激光器及1550nm光纤激光器的泵浦源产品，巩固其全套激光雷达光源方案提供商的市场地位。随着技术发展，VCSEL未来有望在眼动追踪、速度监测、PM2.5空气质量监测等新兴领域得到应用。
光通信产品崛起，市场规模持续扩大
面对光通信市场持续增长的需求和对高性能芯片的要求，长光华芯利用IDM平台优势加大研发投入，推出“国产替代”的高性能光通信芯片产品。公司拥有EML、VCSEL、CW Laser三种类型的光通信芯片，为市场提供高端芯片解决方案。报告期内，公司100G EML已实现量产，200G EML开始送样，100G VCSEL、100mW CW DFB和70mW CWDM4 DFB芯片已达到量产出货水平。
同时，公司超前布局硅光、薄膜铌酸锂等技术路线。通过全资子公司成立苏州星钥光子科技有限公司布局硅光方向，助力苏州市打造光子产业创新集群；投资匀晶光电布局新材料方向，薄膜铌酸锂通过带宽极限突破与集成工艺创新，重塑高速光通信架构。
在氮化镓方向，长光华芯积极填补国内产业化空白。全资子公司与中科院苏州纳米所成立“氮化镓激光器联合实验室”，并与团队合资成立苏州镓锐芯光科技有限公司。氮化镓作为第三代半导体材料，具有直接发光、高效率、高稳定性等优势，其蓝光和绿光波段的激光器产品在激光加工、激光显示、激光照明、特殊通信等领域应用广泛，市场需求超百亿元且呈高复合增长趋势。
镓锐芯光团队是国内最早从事氮化镓基激光器研究的团队，曾研制出国内首颗氮化镓基蓝光和绿光激光器芯片。目前，该公司研制的绿光激光器光功率已达1.2W，大功率蓝光激光器光功率已达7.5W，均达到国际先进水平。
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