近些年，伴随着MOSFET的发展趋势，在低输出功率快速开关行业，MOSFET正逐渐取代三极管，领域主要生产厂家对三极管的研发投入也逐渐降低，在芯片设计层面基本上沒有资金投入，器件的新技术进步具体表现在圆晶加工工艺的升級，封装小型化及表贴化上。此外，相对一般三极管，RF三极管的具体发展趋势是低电压工作电压供电系统，低噪音，高频率及高效率。
1、三极管及MOSFET归类型号选择基本原则如下所示：
1）禁选处在生命期后期的软件封装器件，如TO92
2）甄选领域流行小型化表贴器件，如SOT23，SOT323，SOT523等，针对多管运用，优先选择考虑到多管封装如SOT363及SOT563
3）针对开关应用领域，优先选择考虑到采用MOSFET
4）频射三极管甄选低压供电系统，低噪音，高频率及高效率器件。
2、三极管和MOSFET器件型号选择重要因素
2.1. 三极管型号选择重要因素
三极管在线路中有变大和开关二种功效，现阶段在我司的线路中三极管关键起开关功效。在挑选三极管的情况下，从下列一些层面做好考虑到：主要参数、封装、特性（低电压降、低特性阻抗、高变大倍率、高开关高效率）等层面。在达到调额标准规定的条件下，考虑到輸出电流量和相对应的损耗输出功率，击穿电压尺寸，变大倍率等主要参数。与此同时，应尽可能采用传热系数小，容许结温高的器件。
2) 封装品质好坏的是用集成ic总面积与封装总面积的比率来判定的，比率越贴近1越高。因为三极管的效率要求更加小，因此，小封装三极管是其引入的一个方位，在主要参数达到规格型号的条件下尽可能选用小封装。现阶段三极管最小封装是sot883（DFN1006-3），甄选封装有sot883、sot663、sot23、sot89、sot223、sot666。
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