印度政府近期在 “印度半导体使命”（ISM）框架下，批准了四个新的半导体制造项目，这些项目分布在奥里萨邦、旁遮普邦和安得拉邦三个邦，总投资达 5.5 亿美元（约合印度卢比 459.4 亿）。随着这一轮项目的获批，ISM 支持的项目总数已增至 10 个，在六个邦的累计投资达 191.5 亿美元，为印度半导体产业的发展注入了强劲动力。
此次获批的项目由 SiCSem、大陆设备印度有限公司（CDIL）、3D 玻璃解决方案公司和先进系统级封装（ASIP）技术公司提出。据政府新闻稿称，这些项目预计将创造 2000 多个熟练岗位，以及众多间接就业机会，对缓解当地就业压力、提升就业质量具有积极意义。
在各邦吸引半导体投资的竞争中，奥里萨邦表现尤为突出。该邦将在布巴内斯瓦尔的信息谷迎来两个半导体制造项目 ——SiCSem 私人有限公司和 3D 玻璃解决方案公司的项目。2024 年，在 ISM 项目获批前夕，奥里萨邦更新了政策，加大了对化合物半导体工厂的激励力度，将州补贴从 30% 提高到 50%，这一比例与其他印度邦相比，处于领先水平。政策调整还简化了企业在信息谷工业区获取土地的流程，加快了审批速度，且环境许可已就位。此外，设立工厂的企业在头十年将享受较低的电价，该邦还承诺为这些设施提供大量超纯水，最大的工厂每天用水量超过 200 万升。
印度超大规模集成电路学会会长、半导体和电子系统设计与制造专家萨蒂亚・古普塔在评论这 10 个项目的地理分布时表示，虽然像台湾或韩国那样，前 10-15 个项目集中在一个集群可以优化原材料采购和基础设施，但 “每个邦都在竞争吸引投资，所以印度的分布还是合理的”。古吉拉特邦、奥里萨邦、安得拉邦和北方邦是主要选址地，尤其是奥里萨邦行动迅速，甚至在没有等待中央批准的情况下，就在州一级批准了一个碳化硅项目。
在具体项目方面，Archean 化学工业公司的子公司 SiCSem 将与英国的 Clas-SiC 晶圆厂有限公司合作，在印度建设首个商业碳化硅（SiC）化合物半导体工厂。该工厂年产量为 6 万片晶圆，封装能力为 9600 万件，将为国防、电动汽车、铁路、快速充电器、太阳能逆变器和数据中心机架等领域提供设备。印度政府已批准为该项目投资约 24.7 亿美元，印度理工学院布巴内斯瓦尔分校还将额外投资 5380 万美元，在 SiCSem 工厂旁建立一个碳化硅研发实验室。
Clas-SiC 的首席执行官詹妮弗・沃尔斯表示，与印度的合作是公司独特代工模式的自然延伸。该公司的第一个类似合作项目是在中国南京，一家硅二极管制造商借助该合作进入了碳化硅二极管和 MOSFET 领域，比从零开始快了大约三年，而 Clas-SiC 则获得了高产量工厂的部分产能和特许权使用费。印度的交易将遵循类似路径，但有关键差异：“这不会是一个开放式晶圆厂，SiCSem 将设计和制造自己的设备和模块。在他们的工厂建设期间，他们将在苏格兰生产设备，这让他们有两年时间试水市场并争取客户。”
根据许可协议，Clas-SiC 将获得印度新工厂 15%-20% 的产能用于自己的客户，并在未来 17 年获得特许权使用费。技术转让还将包括员工发展，就像中国工厂的员工在工厂建成前来学习流程一样，印度的合作伙伴也将如此。沃尔斯还提到，印度工厂的早期产出不太可能以出口为主，“我的理解是，根据‘印度制造’倡议，它将主要面向印度市场”，但该公司预留的产能可能用于国际客户，在工厂产能提升期间为 SiCSem 带来额外的吞吐量。
美国的 3D 玻璃解决方案公司也将在信息谷建立一个垂直整合的先进封装和嵌入式玻璃基板工厂，投资约 23.2 亿美元。该工厂将生产玻璃中介层、硅桥和 3D 异质集成（3DHI）模块，年产能为 69600 个基板、5000 万个组装单元和 13200 个 3DHI 模块，目标市场包括国防、高性能计算、人工智能、射频、汽车、光子学和共封装光学等领域。印度电子和信息技术部长阿什维尼・瓦什纳瓦在向联邦内阁的简报中证实，包括英特尔和洛克希德・马丁在内的许多公司，以及私募股权公司和风险投资家都将投资该工厂。古普塔评论称，3D 玻璃解决方案公司正在进行玻璃基板的先进封装，如今大多数封装使用有机基板，但玻璃基板可以承载更广泛的信号，包括光学信号，这在硅缩放变得更加困难的情况下，对高性能计算、人工智能和数据中心来说非常重要。
此外，ASIP 技术公司将与韩国的 APACT 有限公司合作，在安得拉邦建立一家工厂，投资约 5.6 亿美元，每年可生产 9600 万个用于移动设备、机顶盒、汽车系统和其他电子产品的半导体封装。大陆设备印度有限公司（CDIL）将扩建其在旁遮普邦莫哈里的工厂，投资约 1.4 亿美元，生产高功率分立器件，包括硅和碳化硅的 MOSFET、IGBT、肖特基旁路二极管和晶体管，年产能将增加 1.5838 亿件，主要面向电动汽车、充电基础设施、可再生能源系统和工业电力转换等领域。
古普塔对这四个新项目表示兴奋，他认为 “所有四个项目都很好，但奥里萨邦的两个项目在技术上与 ISM 下其他已批准的项目不同。SiCSem 将生产碳化硅，这是当前电动汽车和电力电子领域的急需品，而玻璃基板制造则非常独特”。
这些新的晶圆厂和封装厂有望补充印度不断增长的芯片设计能力，这得益于政府在 278 所学术机构和 72 家初创企业中支持的基础设施。政府指出，已有超过 6 万名学生参与了半导体人才发展项目。古普塔解释了人才需求的满足方式：“对于制造业人才，80% 的劳动力是技术人员级别，大约可以在六个月内完成培训。对于工程师，大多数新设施最初需要有经验的员工，可能从马来西亚或新加坡等国家召回，只有约 25% 是应届毕业生。这对印度来说不是一个大挑战，特别是随着新的超大规模集成电路项目在未来两年将培养出熟练的工程师。”
在电信、汽车、数据中心、消费电子和工业系统等领域对芯片的需求不断增长的背景下，印度政府的这一最新举措意义重大。政府官员重申，先进封装、化合物半导体生产和高功率器件制造的结合，将有助于推进 “自给自足的印度” 议程，并加强该国在全球半导体供应链中的地位。可以预见，随着这些项目的落地和推进，印度半导体产业将迎来快速发展的新阶段。
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