近日，英伟达传出将进入HBM base die市场，引发业界广泛关注。据悉，英伟达计划自研HBM（高频宽存储器）Base Die，制程节点锁定3nm，预计将于2027年下半年开始小量试产。此举意在提升HBM与GPU、CPU数据传输的顺畅性，为客户提供更多模块化选择，进一步强化其NVLink Fusion开放架构生态系的掌控力。
目前，HBM市场主要由DRAM大厂主导，其中SK海力士占据最高市占率。然而，随着HBM传输速度要求提升至10Gbps以上，制程难度也随之增加，需借助台积电等先进制程技术。据悉，HBM4以上传输速率要求达到10G以上，需以先进制程打造Logic die，因此会委由台积电制作，而ASIC部分则由创意负责。创意的HBM4 IP支持高达12Gbps数据传输速率，并纳入32Gbps UCIe-A及UCIe-3D IP等解决方案，处于业界领先地位。
英伟达的入局被视为对ASIC市场的挑战，但其解决方案被CSP大厂采用的可能性不高。业界分析，CSP大厂投入ASIC正是为了避免受制于英伟达，因此对其HBM Base Die的接受度有限。不过，英伟达的模组化设计有望使联发科、世芯等合作伙伴受益，获得更多商机。
整体来看，HBM4世代将迎来更高速、更高堆栈、更复杂封装整合的新局面。随着英伟达拟自制Base Die与SK海力士加速HBM4量产，HBM市场将迎来新一波竞争与变革。
如您对我们的产品感兴趣，欢迎联系咨询电话：135 1009 9916（微信同号）
学习了解更多碳化硅功率器件产品知识 请查看碳化硅课堂
