宜普电源转换公司（EPC）今日宣布，北京知识产权法院驳回了英诺赛科（苏州）科技有限公司（英诺赛科）提起的上诉，并重申EPC在中国的专利号为ZL201080015425.X、名称为“补偿栅极MISFET及其制造方法”（简称“补偿栅极专利”）的有效性。北京知识产权法院的这一最新裁决进一步增强了EPC宝贵的知识产权组合，并巩固了其作为增强型GaN半导体器件先驱的地位。
EPC的两项涉及增强型GaN场效应晶体管（FET）及其制造方法的专利此前在中国遭到英诺赛科（苏州）的质疑。中国国家知识产权局（CNIPA）此前已于2024年4月和5月对这两项专利进行了有效审查，但英诺赛科于2024年4月和5月请求重新考虑关于补偿栅极专利的决定（案件编号：（2024）京73行初15061号）。
EPC首席执行官兼联合创始人Alex Lidow表示：“EPC在GaN功率器件领域的创新体现了近20年的研发成果。我们欢迎北京知识产权法院的裁决，这证明了我们知识产权的实力。”
值得注意的是，EPC继续受益于美国国际贸易委员会的一项裁决，该裁决裁定英诺赛科侵犯了EPC的知识产权。该裁决仍然有效，并发布了一项排除令，禁止侵权的英诺赛科产品进口到美国。
与传统硅基器件相比，EPC 的 GaN 功率晶体管具有卓越的效率、更快的开关速度和更小的封装尺寸。这些已获验证的专利被广泛认为对现代增强型 GaN FET 的结构和性能至关重要，而这种 GaN FET 为 AI 服务器、电动汽车、机器人、快速充电和自动驾驶平台等下一代系统提供动力。
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