MOS管在我们硬件设计中使用的频率非常高，很多同学不太理解MOS管datasheet的各个参数含义，我们利用安森美的datasheet实际图文结合，解释各个参数含义，并且说明这个参数什么情况下会坏，我们为什么要关注。帮助大家知其然和所以然。下面来举例详细介绍下MOS管各参数的含义。
1. V(br)dss:( Drain-Source Breakdown Voltage漏源击穿电压)，定义为可施加于D-S间最大容许电压。当电源热插拔时或者感性负载的时候会产生电压尖峰或者输入浪涌，这个时候会通过V(br)dss过压失效击毁MOS。那怎么防护这个呢，很多时候我们会采用添加RC Snubber电路(如下图)来解决这个问题。当然在选型时，我们需要至少预留1.5倍以上的裕量（不考虑温度和其他条件下）。
2.Id(Drain Current 漏极电流），指漏极(D)到源极(S)之间允许通过的最大连续电流。下图的3个电流分别指：ID连续直流电流（Continuous Drain Current），ID,pulse脉冲电流（Pulsed Drain Current），IDM
峰值电流（Peak Current，瞬态耐受能力）。以上3个值是在不同条件下测试获得的，我们平常设计中说的Id是指连续直流电流。这个Id实际电流会受到环境 温度和散热条件影响很大。当我们电流过大，散热不行，MOS很烫手时，大概率是Id的选型出了问题。因此我们实际选型最好要让Id>2*Ipeak。
3.Vgs(th)（Gate-Source Threshold Voltage栅极阈值电压）。 为使MOS开始导通（形成导电沟道）所需的最小栅源电压。从下图Vgs和Rds的关系可以看出，MOS在实际工作时Vgs电压必须大于Vgs(th)平台电压，如果栅极驱动电压长期工作在平台附近，会导致器件不能完全打开，内阻急剧上升，从而器件产生相应的热失效现象。因此Vgs电压不高也会热损坏MOS管。因此我们实际选型最好要让Vgs>Vgs（th）+2V以上最好。
4. Pd(W) (power dissipation最大耗散功率）。耗散功率是指容许可损耗最大功率值, 取决于 Ta（环境温度）, Tc（外壳温度）。耗散功率直接决定了MOSFET的发热和可靠性。这个值越大越好。在我们实际选型中需要关注温度和结温的关系。Tj=Ta+Pd⋅Rθja。MOS所能承受的最高结温是有限制的，在设计和使用时，需要确保结温不超过这个极限值
举个例子：一个 MOS的导通电阻 RDS(on) 为 10mΩ，导通电流 Id 为 2A，结到壳的热阻 Rθjc 为 2°C/W，壳到环境的热阻 Rθca 为 30°C/W，环境温度 Ta为 20°C。
计算导通损耗：Pd = Id²×RDS(on) = 2²×0.01 = 0.04W
由于热阻是串联的，总热阻Rθja =Rθjc +Rθca = 2+30 = 32°C/W
结温 TJj= Ta+ Pd×Rθja = 20 +0.04×32 = 21°C
5.Rds(on)（Drain-Source On-Resistance）导通状态下的漏源极电阻，它指的是当 MOSFET 处于完全导通状态时，漏极（Drain）和源极（Source）之间的等效电阻值。它决定了MOS的导通损耗, Rds(on)越大, 损耗越大, 温升也越高。Rds(on)直接关系到电路的效率和发热，是设计中必须重点关注的参数。
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