国家知识产权局信息显示，广东电网有限责任公司珠海供电局、华北电力大学申请一项名为“一种碳化硅MOSFET批量测量电路、控制方法、终端及介质”的专利，公开号CN120370124A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本申请公开了一种碳化硅MOSFET批量测量电路、控制方法、终端及介质，本申请基于特定的碳化硅MOSFET批量测量电路，由上位机对继电器控制器发出指令，实现与各个碳化硅MOSFET元件相连的继电器能正确的开断。当需测量某个碳化硅MOSFET元件参数时，通过上位机开通该元件漏极和栅极处的继电器，断开其它回路的继电器，实现测量。如要测量多个元件，只需开通单颗元件对应回路的继电器，测量结束后断开，下个元件对应回路的继电器此时开通，直至测量完全部碳化硅MOSFET元件结束，通过本申请的方案可以利用继电器控制器以及上位机实现多个MOSFET元件的静态参数
如您对我们的产品感兴趣，欢迎联系咨询电话：135 1009 9916（微信同号）
学习了解更多碳化硅功率器件产品知识 请查看碳化硅课堂
测量，无需频繁对元件进行替换，提高了规模化碳化硅MOSFET静态参数的测量效率。
