金融界2025年7月29日消息，国家知识产权局信息显示，通威微电子有限公司申请一项名为“一种基于热气体辅助的碳化硅晶片的抛光方法及应用”的专利，公开号CN120382432A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本发明公开了一种基于热气体辅助的碳化硅晶片的抛光方法及应用，涉及半导体材料加工技术领域。抛光方法包括对碳化硅晶片的气体研磨、精研磨和化学机械抛光；气体研磨中，加热区的压缩气体经喷射区以气流的形式喷出，喷射气流携带研磨介质进入研磨区后，喷射于碳化硅晶片的待研磨面进行研磨处理。通过温度、气流和研磨介质的协同作用，实现对碳化硅晶片待研磨面的研磨，达到高移除量的研磨效果；再经过精磨、化学机械抛光，整个工艺的实施，在效率与质量间找到最佳平衡点，具有产品良率高且研磨成本低的特点，有望推动SiC在新能源、6G通信、航空航天与国防等领域的规模化应用。
天眼查资料显示，通威微电子有限公司，成立于2021年，位于成都市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本85000万人民币。通过天眼查大数据分析，通威微电子有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目14次，专利信息308条，此外企业还拥有行政许可13个。
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