实际应用中，功率二极管多数情况作为IGBT的续流二极管使用，所以在双脉冲测试下，统筹考虑IGBT与续流二极管的波形更具有现实意义。
IGBT关断时，负载电流被续流至二极管中，在IGBT下一次开通时，二极管中电流换向，此时二极管就发生了反向恢复，此时IGBT中也必须传导续流二极管的反向电流。上一节讲到，二极管在反向恢复过程中因自身产生了反向恢复峰值电流IRRM，在双脉冲测试中，IGBT在二次开通时则必须传导续流二极管的这个反向恢复电流Ic，所以在IGBT的开通电流波形上，IGBT上电压则仍然在母线电压UCC范围内。在这个瞬间IGBT产生了最大的开通损耗。
所以，我们可以知道，其实续流二极管的反向恢复峰值电流IRRM对开关器件造成了最重的负担。而且在硬恢复特点的续流二极管中，由于高di/dt引起的电压峰值和震荡这对整个应用是非常不利的。故而，我们希望续流二极管具有软恢复的特性。
下图是双脉冲测试电路中IGBT和续流二极管的损耗情况：
实际应用中续流二极管的损耗是肯定比IGBT的损耗低的，但是二极管的反向恢复特性又会极大影响了IGBT二次开通时的损耗。所以，就两个器件相互作用的总损耗而言，我们需要尽量保持低的反向恢复峰值电流IRRM和二极管储存电荷的复合时间，因为拖尾电流阶段的损耗占二极管总损耗的大部分。
上一节讲到，二极管的关断损耗是：
而其中电荷Qrr=1/2×IRRM×trr。这个公式是基于没有IGBT的存在情况下得到的。
在双脉冲电路中，忽略寄生电感的情况下，二极管的电压变化率与IGBT的电压变化率相同，理想状况下，IGBT的电压下降时间与二极管反向电流的下降时间相同，那么就有如下情况：
在规定的di/dt和Ucc，细分存储时间ts期间的电荷和反向电流下降时间tf期间的电荷：Qrr=Qrs+Qrf，二极管关断的的能量损耗就是Eoff=1/2QrfUcc
因为Qrf=Qrr-Qrs，所以
这个值与单二极管电路中的情况相比，小了许多。这是因为在电荷储存时间内的二极管的负担由IGBT来承担，IGBT传导了二极管的反向恢复峰值电流.
严格意义上讲，由二极管引发的损耗还是需要把电荷储存时间的损耗加上，但是这样IGBT也会计算一次，对于双脉冲测试电路而言，这部分造成的损耗只需在IGBT的开通过程中进行计算即可。
实际电路中，不仅仅有人为加的负载电感L的存在，还会有整个电路的杂散电感Ls存在，这部分也会对期间的产生附加损耗。故而，实际应用也需要留意杂散电感的大小，以免结果相差过大。
如您对我们的产品感兴趣，欢迎联系咨询
电话：135 1009 9916（微信同号）
学习了解更多碳化硅功率器件产品知识 请查看碳化硅课堂
