VDMOS（垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，VerticalDouble-DiffusedMOSFET）是一种功率半导体器件。
一、VDMOS名称由来
垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
垂直：由于漏极在器件底部，漏极与源极间电流垂直流动。
双扩散：P-基区和N+源区由扩散工艺得到。
金属氧化物半导体：器件从上到下依次是金属（栅极）、氧化物（栅氧）、半导体（硅）
二、VDMOS结构
N+衬底
重掺杂的硅衬底，电阻率极低，与背面金属形成欧姆接触，作为漏极的引出端。
N-外延层
轻掺杂的硅外延层，生长在N+衬底上，厚度和掺杂浓度由器件耐压（击穿电压）设计决定，电阻率较高，形成漂移区。
P-基区
通过离子注入和扩散工艺在N-外延层中形成的P型区域。
P+基区
在P-基区表面进一步注入重掺杂P型杂质，与正面金属形成欧姆接触，与N+源区短接。
N+源区
在P-基区表面进一步注入重掺杂N型杂质，与正面金属形成欧姆接触，形成源极的引出区域。
栅极
覆盖在P基区和N+源区上方的多晶硅或金属电极，下方是一层薄二氧化硅（SiO₂）绝缘层，与半导体表面隔离。
三、VDMOS工作原理
开通状态
当VGS>VTH时，由于栅极电场作用，将P-基区中的电子（少子）吸引到半导体表面，形成N型反型层，连接N⁺源区和N⁻外延层，成为源极到漏极的导电通道。这时施加漏-源电压VDS，在电场的作用下电子从源极流经导电沟道进入N⁻外延层，垂直向下流向漏极（N⁺衬底），形成由漏极指向源极电流（如下图）。
关断状态
当VGS
注：
可以把栅极理解为开关（控制源极与漏极之间电流）。
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