碳化硅芯片怎么制造？
宽禁带半导体材料开启新时代
以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，突破原有半导体材料在大功率、高频、高速、高温环境下的性能限制，在5G通信、物联网、新能源、国防尖端武器装备等前沿领域，发挥重要作用。在摩尔定律遇到瓶颈、中国智造2025的大背景下，宽禁带半导体材料，无疑是中国半导体产业一次好机会！
碳化硅芯片这样制造
新材料，“芯”未来！碳化硅芯片，取代传统硅基芯片，可以有效提高工作效率、降低能量损耗，减少碳排放，提高系统可靠性，缩减体积、节约空间。
以电动汽车为例，采用碳化硅芯片，将使电驱装置的体积缩小为五分之一，电动汽车行驶损耗降低60%以上，相同电池容量下里程数显著提高。
面向未来的碳化硅芯片要如何制造？这就不得不提到一个概念：元胞。一般来说，芯片是晶圆切割完成的半成品。每片晶圆集成了数百颗芯片（数量取决于芯片大小），每颗芯片由成千上万个元胞组成。那元胞究竟要如何制造呢？
第一步
注入掩膜。首先清洗晶圆，淀积一层氧化硅薄膜，接着通过匀胶、曝光、显影等工艺步骤形成光刻胶图形，最后通过刻蚀工艺将图形转移到刻蚀掩膜上。
第二步
离子注入。将做好掩膜的晶圆放入离子注入机，注入高能离子。之后移除掩膜，进行退火以激活注入离子。
第二步
离子注入。将做好掩膜的晶圆放入离子注入机，注入高能离子。之后移除掩膜，进行退火以激活注入离子。
第三步
制作栅极。在晶圆上依次淀积栅氧层、栅电极层形成门级控制结构。
第四步
制作钝化层。淀积一层绝缘特性良好的电介质层，防止电极间击穿。
第五步
制作漏源电极。在钝化层上开孔，并溅射金属形成漏源电极。
当漏源电极和栅源电极之间加正压时，沟道开启，电子从源极流向漏极，产生从漏极流向源极的电流。至此，一个基本的功率器件即元胞就制作完成了。成千上万的元胞组成芯片，再集成到晶圆衬底，就有了像彩虹一样灿烂的晶圆！
而晶圆的碳化硅衬底，则是由物理气相传输法（PVT）制备，经碳化硅粉料的分解与升华、气体的传输与沉积、切磨抛一系列工序而成。
碳化硅衬底抛光解决方案
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