图1. 即使±0.1%的测试设备准确率误差也会让高效率下的效率测量准确性产生很大的变化
一个可提高功率转换器效率且风险相对较低的选择是仅改进现有设计中的半导体。基于MOSFET的转换器可以升级为使用导通电阻较低的较新器件，也许新器件对开关能量的要求也较低，并适当考虑电磁发射的变化。然而，要利用SiC MOSFET或GaN HEMT单元等最新的宽带隙器件，就必须对电路进行较大的更改，尤其是对栅极驱动。如果现有电路是基于IGBT的，则您要完全从头设计才能利用宽带隙器件。
栅极驱动与电压等级有关，为了实现全面增强，SiC MOSFET需要开态驱动，它会显著高于Si-MOSFET的驱动，并有接近器件绝对最大额定值的危险，必须谨慎地进行限制。开态和关态之间的高压摆也需要一定的驱动功率，因为在每个周期内栅极电容都会充电和放电。另外，阈值电压是可变的并有迟滞现象，从而使得最佳栅极驱动难以实现。某种方面来说，GaN HEMT单元完全相反，它的栅极阈值电压和绝对最大值非常低，因而也必须谨慎控制驱动电路，避免过应力和故障。
如果功率转换器电路需要反向导电或第三象限导电，则SiC MOSFET中体二极管的特征十分重要，可能会由于显著的恢复能量和前向压降而导致过多损耗。GaN器件没有体二极管，并通过沟道反向导电，但是在通过栅极驱动有效增强沟道前，在死区时间内会有高压降。如果栅极电压在关态时为负，则“整流”期间的压降会更高。
想要面面俱到就要考虑使用SiC FET，它是Si-MOSFET和SiC JFET的共源共栅结合的产物。该器件有Si-MOSFET的简单非临界栅极驱动，但是性能表征RDS(on) x A和RDS(on) x EOSS比SiC MOSFET和GaN HEMT单元好。它有固有且稳健的雪崩能力和自限制短路电流，且体二极管效应类似于具有前向压降并能快速恢复的低压Si-MOSFET。这些意味着SiC FET通常可以简单地直接插入Si-MOSFET插槽，甚至是IGBT插槽，来立即提升效率。无法控制SiC FET的速度，以便如同其他技术一样通过调整栅极驱动电阻来限制电磁干扰和应力，但是对于这些超快的器件，与器件简单并联运行的小缓冲电路可有效地限制过冲和振铃。当更换IGBT时，开关频率可以提高，且不会产生不当的动态损耗，从而获得更小、更轻、更便宜的磁性元件带来的好处。
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