当今为商用车辆推进提供动力的节能充电系统以及辅助电源系统、太阳能逆变器、固态变压器以及其他交通和工业应用都依赖于高压开关电源设备。 1700V 碳化硅技术是硅 IGBT 的替代品。由于有损硅 IGBT 对开关频率的限制，早期的技术要求设计人员牺牲性能并使用复杂的拓扑结构。此外，电力电子系统的尺寸和重量因变压器而膨胀，只能通过提高开关频率来减小尺寸。 新的碳化硅产品系列使用两级拓扑结构，减少了零件数量、提高了效率和更简单的控制方案。没有开关限制，电源转换单元可以显着减小尺寸和重量，为更多充电站腾出空间，为付费乘客和货物提供额外空间，或延长重型车辆、电动巴士和其他电池供电的范围和运行时间商用车——所有这些都降低了整体系统成本。 特性包括栅极氧化物稳定性，即使在重复非钳位电感开关 (R-UIS) 测试中延长 100,000 个脉冲后， 也没有观察到阈值电压的变化。R-UIS 测试还显示了雪崩坚固性和参数稳定性；并且具有栅极氧化物稳定性，在系统的整个生命周期内都表现出可靠的操作。 无退化体二极管可以消除在碳化硅 MOSFET 中使用外部二极管的需要。与 IGBT 相当的短路耐受能力可承受有害的电气瞬变。在 0 至 175 摄氏度 (C) 的结温范围内，更平坦的 RDS(on) 曲线使电源系统能够以比对温度更敏感的碳化硅 MOSFET 更高的稳定性运行。 通过一系列AgileSwitch® 数字可编程栅极驱动器 和广泛的分立和电源模块封装简化了其技术的采用 。这些栅极驱动器有助于加快从台式到生产的碳化硅开发。 样品申请询价技术咨询在线咨询 SIC MOSFET相关产品列表： [listpost type="3" cat="cp01" nb="10"]
