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国产SIC碳化硅肖特基二极管供应商

2024-04-17 14:06:06

SIC器件产品覆盖650V/1200V/1700V/3300V (1A-100A) 封装:提供TO220、TO220全包封、TO220内绝缘、TO247-2L、TO247-3L、TO 247-4L、TO-252、TO263-2、SMA、DFN8*8、SOD123、DFN5*6等多款塑封以及 高温封装形式,并可按客户需求提供其他封装形式。

面对充电模块等客户对于效率性能、运维成本、功率密度等多方面的需求,基于现行的各种拓扑,量产了1200V多种封装形式的SiC二极管系列产品,见表1。针对其他应用也有1200V2A/3A/5A/8A/10A/50A TO252/TO263/TO220AC/TO247等电流产品对应。

表1 1200V系列产品选型表

备注:*单只脚

一、拓扑

推荐使用1200V系列SiC二极管产品的充电模块拓扑:● 前级PFC拓扑

01 三相三线制三电平VIENNA(主流选择):

02 两路交错并联三相三线制三电平VIENNA:

03 单路交错式三相三线制三电平VIENNA:

● 后级DCDC拓扑

01 两组交错式并联二电平全桥LLC:

02 三电平全桥移相ZVS:

03 三电平全桥LLC:

04 两组交错式并联二电平全桥移相ZVZCS:

从上述内容可以看出,SiC二极管一般应用于直流充电桩的充电模块产品中,作为VIENNA PFC的高频二极管和DC-DC次级整流二极管。

二、选择

01 前级PFC选择 从经济角度来看,全SiC 的VIENNA PFC方案,成本仍较高,现阶段不是一个合理的选择;传统前级PFC方案中由于1200V Si的快恢复二极管特性较差,可以考虑用反向恢复特性更好的SiC二极管替换,与Si MOSFET配合使用,可同时降低高频二极管与Si MOSFET的温升,提升VIENNA PFC的性能; 02 后级DC/DC选择 ■ 对于移相全桥技术方案的DC/DC变换器,由于次级整流二极管存在反向恢复的工况,无论是1200V还是650V规格,应用SiC二极管均可大大优化整流二极管的关断损耗,提升DC/DC的性能。 ■ 对于LLC技术方案的DC/DC变换器,由于输出整流二极管开关状态较优,在输出拓扑串联的方案,用600/650V超快恢复二极管即可满足损耗/效率的要求;对于输出并联的方案,由于1200V的Si的快恢复二极管特性较差、导通压降也较高,选用性能更优的SiC二极管进行替换后,在通态损耗和开关损耗上均有提升,可提高DC/DC的性能。(如附录1所示)

三、附录:

  两电平全SiC LLC变换器效率测试:

  ● 测试目的: 评估碳化硅二极管在两电平全SiC LLC变换器中应用; ● 测试设备: PA5000H 功率分析仪;可编程交流电源;干式电阻负载柜; ● 测试平台: 两电平全SiC LLC变换器测试平台; ● 开关频率: 150kHz-400kHz; ● 测试条件: 输入电压800VDC,输出电压750VDC,工作温度25℃; ● 应用器件: G5S12030B(1200V/30A SiC二极管双管并联); ● 电路原理:

● 测试场景:

● 测试数据:

● 效率曲线:

SIC碳化硅二级管选型表

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作者: 深圳市亿伟世科技有限公司
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