SIC MOSFET：有无驱动器源极引脚的差异及其效果

在上一篇文章中，作为介绍驱动器源极引脚效果的前提，我们了解了在没有驱动器源极引脚的以往封装MOSFET（以下称“以往MOSFET”）中的开关工作期间的电压。在本文中，我们将一起了解具有驱动器源极引脚的MOSFET的工作情况和驱动器源极引脚的效果。

有无驱动器源极引脚的差异及其效果

左下图是以往MOSFET的驱动电路，右下图是具有驱动器源极引脚的MOSFET的驱动电路。不同的是驱动电路的回流线的连接方式，以往MOSFET是连接到源极（Source）引脚，而具有驱动器源极引脚的MOSFET是连接到驱动器源极引脚（Driver Source）引脚，其源极是一个单独的电源（Power Source）引脚。此外，每个蓝色箭头表示开关工作中的电压。 如蓝色箭头所示，两者在开关工作中的电压是相同的。再次提一下，MOSFET被施加V_G并导通后，I_D增加，L_SOURCE沿图中（I）的方向产生V_LSOURCE。由于电流IG流入栅极引脚，因R_{G_EXT}产生压降V_{RG_EXT}(I)。 如上所述，两者产生的电压是一样的，但在以往MOSFET的情况下，V_LSOURCE和V_{RG_EXT}(I)被包含在导通时的驱动电路网中，因此MOSFET的导通工作所需的芯片上的电压V_{GS_INT}会减少，最终导致导通速度降低。而在具有驱动器源极引脚的情况下，I_D会流向电源（Power Source）引脚，不流向驱动器源极（Driver Source）引脚，这部分不包含在驱动电路网中，因此可以消除V_LSOURCE对V_{GS_INT}的影响。 如果具备驱动器源极引脚，则可以去掉 项（＝V_LSOURCE），可以看出这部分电压不会影响V_{GS_INT}。这就是驱动器源极引脚的效果，可以提高导通速度。 在下一篇文章中，我们将通过工作波形来了解驱动器源极引脚的效果。