将半桥整流变换器替换为双极桥整流器,用MOSFET替换IGBT; 将半桥整流变换器替换成使用四极桥整流变换器,用MOSFET替换IGBT; 将匹配的可控硅的后端替换成可控硅的前端,无极双极桥整流结构和可控硅; 采用由测量电压控制的(ZVS)双级可调半桥变换器,采用MOSFET的替代型案例。