Shenzhen Yiweishi Technology_Professional silicon carbide power device supplier
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6.5kV高压全 SiC ...
该文报道6.5kV、25A及100A两款全碳化硅(silicon carbide,SiC)功率金属场效应晶体管(metal oxide field-effec
基于SiC器件的车载氢燃料电...
氢燃料电池作为车载零排放动力源,具有高效、环保、续航里程长等优势,但其输出电压范围宽、动态响应慢的特性,需通过DC/DC变换器实现能量的高效转换与稳定传输。碳化
SiC MOSFET在通信电...
通信基站作为数字社会的“神经末梢”,其能耗问题正随着5G网络的大规模部署愈发凸显。一个典型5G宏基站功耗高达3500W,其中通信电源模块的损耗占比超25%,仅散
跨导gm对SiC MOSFE...
一、SiC MOSFET跨导gm的基本概念与特性在电力电子领域,SiC MOSFET凭借宽禁带材料优势,成为高压、高频、高温场景下的核心器件,而跨导gm作为其关
如何正确的使用 LTspic...
一些器件,例如二极管和 SiC 功率 MOSFET,非常昂贵,如果您不能 100% 确定电路,则不方便进行试验。电路的模拟非常重要,因为它允许在所有条件下进行完
基于变压器的 SiC MOS...
本文将介绍一种用于 3.3kV SiC MOSFET的基于变压器的隔离式栅极驱动器。两个 VHF 调制谐振反激式转换器,工作频率为 20 MHz,可生成 PWM
SiC MOSFET在高压D...
在高压DC-DC变换器中,开关损耗一直是限制系统效率和功率密度的关键瓶颈。传统硅基器件在高频下表现出较高的开关损耗和体二极管反向恢复电荷,迫使工程师在开关频率与
并联应用SiCMOS单管模块...
SiCMOSFET因开关速度极快、开关损耗低的特性,并联时的均流一致性(静态+动态)、器件匹配性、寄生参数对称性成为核心痛点,远严于SiIGBT并联。其并联设计
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