SiC MOSFET 驱动...

摘  要：根据SiC MOSFET开关特性，设计了一种SiC MOSFET的驱动电路，在此基础上采用双脉冲测试方法，对SiCMOSFET的开关时间、开关损耗等进

3300V SiC MOS...

摘要：碳化硅SiC(silicon carbide)功率器件因其卓越的材料性能，表现出巨大的应用前景，其中金属-氧化物-场效应晶体管MOSFET(metal o

基于 SiC MOSFET ...

摘 要 ： 为满足高功率脉冲应用对大电流双极性输出及灵活调控的需求，本文提出并实现了一种基于SiC MOSFET并联全桥拓扑的紧凑集成式双极性脉冲电源系统。该系

高压大功率SiC MOSFE...

摘要：碳化硅(SiC)MOSFET短路耐受能力弱,因此对短路检测的快速性、可靠性提出了更高要求。现有SiCMOSFET短路检测主要基于单一电气量,且大多围绕低压

高漏压DGB实验SiC MO...

今天这篇文章来自开姆尼茨工业大学，主要内容是SiC MOSFET器件HV-GSS实验的阈值电压漂移研究先介绍背景在SiC MOSFET栅氧可靠性领域，静态栅极偏

电装G3沟槽栅SiC MOS...

今天这篇文章来自电装，主要内容是G3沟槽栅SiC MOSFET产品先介绍背景电机驱动逆变器与升压变换器是新能源汽车的核心功率部件， 现阶段该领域的功率器件主流方

电压源驱动下 SiC MOS...

摘 要：为更充分地发挥SiC MOSFET在具有固定参数的传统电压源驱动下的开关性能，同时抑制串扰影响，提高栅极可靠性，本文优化了其在电压源驱动下的栅极无源器件

大功率 SiC MOSFE...

摘要：功率半导体器件的发展对电力电子技术的发展起着至关重要的作用。目前，随着硅器件制造技术和加工工艺的日渐成熟，其性能已经接近理论极限和工程极限，依靠硅器件来提