SiC mosfet 电性测试项目Vgs

SiC MOSFET的电性测试项目Vgs主要指门源电压（Gate-Source Voltage）。Vgs是指通过控制门极电压，调节MOSFET导通电流的电压值。在测试中，通常会测量MOSFET在不同Vgs下的漏极电流和导通电阻等参数，以评估其性能。对于SiC MOSFET来说，由于其高电场强度和高温特性，Vgs测试需要特别注意测试环境的抗干扰能力和温度控制等方面，以确保测试结果的准确性和可靠性。