SiC SBD和SiC MOSFET 区别及应用中的优缺点

SiC SBD和SiC MOSFET是由极化硅碳化硅材料制成的芯片，具有较高的散热性和导电性能。 其差异在于：

SiC SBD：SiC SBD（SiC 双极器）是将硅碳和硅晶体作为元件材料，构造出极化硅碳双极器。它由两个正反向双极器组成，每个双极器具有独立的闸、漏和集电极。它属于压力可控元件，具有反向电流保护、发射和抑制功能。由于其高迁移率，SiC SBD能够快速控制压降，从而使绝缘式传输元件具有很大的数据传输率。

SiC MOSFET：SiC MOSFET（SiC 场效应晶体管）是<一种场效应晶体管，具有极低的瞬态延迟和瞬态损失，能够在高频和谐振循环中实现快速切换。它可以作为功率组件的基础，用于高频功率转换，激光照明，红外加热，飞机马达，高速摄像头和航空电力系统等电子系统。

应用中的优点：

SiC SBD：它具有高温性能，可以在高温环境中工作，这使其能够应用于高武备电子设备，例如飞行器电子电路。此外，SIC SBD具有良好的导电能力，从而可以减少由于散热不足而导致的功耗降低。

SiC MOSFET：它具有低搅乱，爬升时间快，损耗小等优点，同时精度也很高，可以用于操作的频率较高的电子设备。